| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·CMOS 晶体管按比例缩小的必要性 | 第7-9页 |
| ·短沟道效应 | 第9-12页 |
| ·纳米 CMOS 器件的解决方案 | 第12-15页 |
| ·新材料工艺 | 第12页 |
| ·新器件结构 | 第12-15页 |
| ·本文的主要研究工作以及内容安排 | 第15-17页 |
| 第二章 多栅 SOI MOSFET 的基本理论 | 第17-27页 |
| ·多栅 MOSFET 的等比例缩小理论 | 第17-22页 |
| ·双栅 SOI MOSFET(FinFET)制作工艺 | 第22-23页 |
| ·FinFET 制作工艺中的关键问题 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 三栅 FinFET 结构和基本电特性的研究 | 第27-47页 |
| ·仿真软件 ISE TCAD 的介绍 | 第27-28页 |
| ·三栅 FinFET 软件中的建模 | 第28-32页 |
| ·三栅 FinFET 结构参数与 I-V 特性的研究 | 第32-38页 |
| ·三栅 FinFET I-V 特性基本理论 | 第32-34页 |
| ·FinFET 结构参数与 I-V 特性的仿真研究 | 第34-38页 |
| ·三栅 FinFET 结构参数与阈值电压的研究 | 第38-45页 |
| ·阈值电压的建模 | 第38-41页 |
| ·FinFET 结构参数对与阈值电压的仿真研究 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 三栅 FinFET 结构和 SCE 特性的研究 | 第47-63页 |
| ·三栅 FinFET 结构与亚阈值特性的研究 | 第47-51页 |
| ·FinFET 亚阈值特性的理论研究 | 第47-48页 |
| ·三栅 FinFET 结构与亚阈值特性的仿真研究 | 第48-51页 |
| ·三栅 FinFET 结构与 DIBL 特性的研究 | 第51-54页 |
| ·三栅 RSD FinFET 结构 | 第54-58页 |
| ·RSD 结构介绍及仿真建模 | 第54-55页 |
| ·三栅 RSD FinFET 的仿真研究 | 第55-58页 |
| ·三栅 AD FinFET 结构 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 研究成果 | 第71-72页 |
