当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
基于ECR-PEMOCVD技术的InxGa1-xN薄膜的制备及其表征
ZnO薄膜的欧姆接触研究
真空蒸发—氧化法制备CIO薄膜的研究
定向凝固与电子束去除多晶硅中Al、Ca杂质的研究
两步法在硅衬底上制备银薄膜
等离子体增强化学气相沉积中中性气体流动对容性耦合等离子体放电特性影响的研究
电负性与氧化物材料光电性质研究
掺杂GaAs电子结构和光学性质的理论研究
Cu掺杂Ga2O3薄膜的性质研究
FTO导电玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜及其性能的研究
ZnS及其掺杂体系的电子结构和光学性质计算与实验验证
RF-溅射制备氧化钒薄膜及其电致开关特性研究
ZnO光电功能薄膜材料的CMP研究
半导体金属氧化物的制备、表征及其气敏性能研究
相变特性氧化钒薄膜制备工艺及快速热处理研究
基于阳极氧化法的多孔氧化钨气敏薄膜的制备与研究
ZnO材料的制备和GaN基LED器件的研究
氢键功能化有机半导体的合成及其超分子自组装
热丝化学气相沉积制备硅氢薄膜及其性质的研究
基于氮杂并五苯的双极性有机半导体材料的合成与器件性能研究
不同接触尺度下单晶硅的摩擦磨损性能研究
基于飞秒激光非平衡掺杂技术黑硅材料的制备与光电器件研究
氧化物半导体纳米纤维的制备及其在气体传感和场效应器件上的应用
ZnO基稀磁半导体与ZrN基复合材料的高压合成及表征
Si衬底上ZnO薄膜的p型掺杂及相关物理问题研究
高压下InN的电输运性质研究
In2O3纳米纤维的有序取向制备及其气体传感性能研究
杂质对直拉硅单晶力学性能的影响
ZnO基透明导电膜的制备与掺杂研究
GeTe-AgSbTe2基热电材料的纳米结构与性能优化
锗硅低维量子结构制备研究
高压下InSe的电学性质和金属化相变研究
p-ZnMgO：As薄膜的MOCVD生长及其发光器件制备研究
锂氮共掺杂p型ZnO的制备及其光电器件研究
ZnO基薄膜材料及其p型掺杂特性研究
Li-N共掺杂p型ZnO薄膜的形成机制及相关物理问题研究
氧化锌基紫外光电薄膜及器件的技术研究
锗膜的折射率温度系数的理论建模与实验测量
分子束外延生长InN薄膜和纳米结构及物性研究
铬掺杂氮化物半导体外延和磁性研究
苯并三噻吩类有机半导体材料的合成与性质研究
用于固态照明的非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长及表征
硅衬底上GaN外延层和AlGaN/GaN异质结的MOCVD生长研究
超小NiO/SnO2纳米颗粒的制备及其在气体传感器中的应用
AZO透明导电薄膜载流子输运机制及特性研究
基于飞秒激光激励半导体材料的太赫兹源与探测技术
镓铟氧化物薄膜和氧化锡薄膜的制备与性质研究
化合物半导体的微结构调控及其光催化、气敏性能的研究
ZnO半导体材料的形貌、微结构调控及其性能研究
单晶硅基LaB6薄膜的磁控溅射制备工艺及生长机制
上一页
[61]
[62]
[63]
[64]
[65]
下一页
