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材料
SiC衬底GaN基材料MOCVD生长及HEMT器件研制
无味卡尔曼滤波在直拉法单晶硅直径控制中的应用研究
SOI、SGOI、GOI材料制备技术研究
芳杂环取代的9,9-氧杂蒽螺芴基空穴传输材料的合成及其应用研究
宽禁带半导体光电功能材料的理论研究
有机/无机半导体异质结构的光电性能研究
基于能带调控的单层MoS2掺杂仿真研究
AlN缓冲层和p型Al0.55Ga0.45N的生长与表征
金刚线切多晶黑硅的制备及性能研究
二维原子晶体材料SnSe_x的制备及其器件特性
新型稀磁半导体的先进谱学表征和性能研究
高分辨电子显微学方法及其在半导体材料研究中的应用
黑磷的电学性能调控及其逻辑器件的制备与表征
带偏角4H-SiC同质外延生长和拉曼散射研究
磁控溅射和高温氨化两步法制备AlGaN薄膜
磁控溅射法制备ZnO纳米薄膜及其光电特性研究
二维材料光电性质改性的第一性原理研究
InAlN/GaN异质结电学性模拟和物性研究
微纳米GaN衬底模板制备及外延研究
新型有机半导体材料电荷传输性能及机理的理论研究
半导体硅和锗的磁电阻性能研究和应用
酞菁类n型半导体材料的合成及性质表征
受主掺杂SnO2基稀磁半导体的结构及磁性的研究
基于AZO籽晶层生长ZnO纳米棒阵列异质结光电响应特性的研究
磷化铟量子点及其碳纳米杂化材料的制备与光电性能研究
尺寸、温度和压强对层状半导体材料的禁带宽度和弹性模量的影响
InGaN/GaN异质结构的侧向外延生长及纳米线发光器件研究
图案化蓝宝石衬底及硅纳米线的制备
拓扑绝缘体Bi2Se3纳米线的微加工及自旋注入检测
Si(111)上AIN薄膜的生长与研究
GaN衬底材料相关技术研究
TiZnSnO非晶氧化物半导体薄膜制备及应用研究
重掺杂直拉硅单晶的氧化诱生层错
半导体基局域表面等离激元材料合成及其性能研究
铜掺杂氧化锌稀磁半导体的缺陷结构、磁学操纵与光电响应性能研究
ZnO微纳米柱的选择生长与性质研究
磁控溅射法制备MgAlSnO薄膜及其特性的研究
P型GaN基材料电学性能的研究
铟锌共掺及掺氟氧化亚铜的制备与性能的研究
8英寸薄层硅外延片工艺设计与实现
非极性AlGaN材料生长及探测器制备技术研究
单晶SiC基片超精密磨粒加工机理研究
高能劳厄单色器晶体压弯机构的优化设计
水分子诱导氢终止硅的老化及荧光光谱红移的理论研究
高In组分InGaN化合物半导体的生长与表征
半导体芯片用多晶硅材料提纯新工艺物理冶金三步法
稀土Eu、Nd、Y掺杂氧化物半导体CuAlO2的制备及性能研究
二氧化钛/大尺寸多孔窄带隙半导体复合材料制备及其可见光催化性能研究
直拉硅中氧相关缺陷的研究
低维ZnO杂质缺陷行为及p型掺杂研究
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