磁控溅射法制备MgAlSnO薄膜及其特性的研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 氧化物半导体TFT的发展历程 | 第11-13页 |
| 1.3 本论文的研究目的和工作内容 | 第13-14页 |
| 1.4 本章小结 | 第14-15页 |
| 第2章 薄膜晶体管特性 | 第15-21页 |
| 2.1 薄膜晶体管的结构 | 第15-17页 |
| 2.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第17-19页 |
| 2.3 薄膜晶体管的参数提取 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 实验制备技术和表征方法 | 第21-28页 |
| 3.1 磁控溅射原理 | 第21-22页 |
| 3.2 光刻原理及要求 | 第22-24页 |
| 3.3 薄膜表征方法 | 第24-27页 |
| 3.3.1 表面轮廓测试仪 | 第24-25页 |
| 3.3.2 X射线衍射分析仪 | 第25-26页 |
| 3.3.3 扫描电子显微镜及能量色散光谱仪 | 第26页 |
| 3.3.4 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| 3.3.5 紫外-可见-近红外分光光度计 | 第27页 |
| 3.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第4章 实验流程安排 | 第28-34页 |
| 4.1 衬底的清洗 | 第28页 |
| 4.2 薄膜的制备 | 第28-30页 |
| 4.3 MSM结构制作的工艺流程 | 第30-31页 |
| 4.4 TFT器件制作的工艺流程 | 第31-33页 |
| 4.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第5章 实验结果分析 | 第34-59页 |
| 5.1 溅射参数选取 | 第34-40页 |
| 5.1.1 薄膜的晶体结构 | 第34-35页 |
| 5.1.2 溅射气压对薄膜的影响 | 第35-37页 |
| 5.1.3 溅射功率对薄膜的影响 | 第37-39页 |
| 5.1.4 不同氧分压对薄膜的影响 | 第39-40页 |
| 5.2 不同配比的MATO系列薄膜的特性分析 | 第40-53页 |
| 5.2.1 MATO系列薄膜的晶体结构 | 第40-42页 |
| 5.2.2 MATO系列薄膜的SEM分析 | 第42-45页 |
| 5.2.3 MATO系列薄膜的AFM分析 | 第45-46页 |
| 5.2.4 MATO系列薄膜的能谱分析 | 第46-49页 |
| 5.2.5 MATO系列薄膜的透过率 | 第49-50页 |
| 5.2.6 MATO系列薄膜的电学特性 | 第50-53页 |
| 5.3 MATO TFT器件的制作与测试分析 | 第53-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第6章 结论与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
