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材料
In2O3基稀磁半导体薄膜的离子注入制备和特性研究
表面等离子体增强氧化锌回音壁模微腔受激辐射的研究
砷化镓近红外光致发光的核酸调控和生物传感研究
非极性与半极性GaN基氮化物的外延生长及表征研究
MgO材料电子结构和光学性质研究
非极性GaN材料的MOCVD生长及表征
铜单晶衬底上GaN薄膜的ECR-PEMOCVD低温生长研究
PESE和F-NDI有机半导体薄膜的结构调控与构效关系
半导体薄膜材料等离激元表面增强拉曼散射的研究
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的掺杂制备及其在光探测器中的应用研究
具有高载流子迁移率的二维半导体材料的设计与模拟
1111-型新型块材稀磁半导体:(La1-yAEy)(Zn1-xMnx)AsO（AE=Ca,Sr,Ba）的制备和物性研究
氧化锌微米柱阵列的缺陷及发光性质研究
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线结构稳定性与电子性质的第一性原理研究
IGZO薄膜性能的研究及改善
水溶性Cu2ZnSn(SxSe1-x)4纳米晶墨水的可控合成及光电性能研究
Cu2S准一维纳米结构的合成及其光电特性研究
Co掺杂ZnO纳米线的制备及其磁性和光学性能的研究
低维半导体材料电子结构和磁学特性研究
碲锌镉中碲的提取研究
磁控溅射制备ZnO基透明导电衬底材料的研究
热还原—真空挥发富集提取锗研究
强磁场调控ZnO稀磁半导体结构与性能研究
减薄硅片变形的测量方法与技术
支化打断型共轭聚合物的傅克聚合及性能研究
超细煤基β-SiC粉体的构筑及其结构特性的研究
直拉单晶硅磁场生长工艺及氧的掺入机理研究
N型半导体金属有机聚合物的合成和表征
氢化铝钠反应釜机械密封技术的改进研究
立方碳化硅的多光谱技术研究
基于椭圆偏振测量技术的氮化物半导体材料光学特性研究
二维原子半导体的制备及其异质器件研究
基于亚微米深孔的Si衬底上GaN选择性外延及横向外延
冶金级硅熔渣精炼深度除硼研究
基于热力学模型的硅液中杂质组元活度研究
高质量红荧烯超薄膜的生长及其应用
常开型SiC JFET功率器件的热可靠性研究
氧化亚铁硫杆菌对原生碲矿的浸出工艺及机理初探
第一性原理研究Ge和GaAs的弹性常数及位错性质
ZnMgO/ZnO异质结高场输运特性的Monte Carlo研究
多晶硅厚膜制备及磷、硼快速扩散
MgZnO/ZnO异质结量子输运特性研究
半绝缘4H-SiC光导开关研究
中子-γ辐照对SiO2/Si位移损伤模拟研究
不同非极性与半极性Ⅲ族氮化物材料物性研究
GaN-MOCVD垂直喷淋式反应室的优化设计
硅晶体生长各向异性的分子动力学模拟研究
多晶硅定向凝固的热场模拟与静态磁场影响的研究
4H-SiC载流子寿命增强方法研究
4H-SiC JBS沟槽结构的仿真研究
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