| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11-14页 |
| 1.2 国内外发展动态 | 第14-15页 |
| 1.3 研究内容和设计指标 | 第15-19页 |
| 1.3.1 硅外延生长的技术问题 | 第15-17页 |
| 1.3.2 论文内容 | 第17-18页 |
| 1.3.3 论文设计指标 | 第18-19页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第19-20页 |
| 第2章 硅外延工艺基础和应用 | 第20-34页 |
| 2.1 化学气相外延基本原理分析 | 第20-22页 |
| 2.1.1 CVD外延生长特点 | 第20-21页 |
| 2.1.2 外延化学反应 | 第21-22页 |
| 2.2 外延层表征技术 | 第22-26页 |
| 2.2.1 外延层厚度的测量 | 第22-24页 |
| 2.2.2 外延层电阻率的测量 | 第24-26页 |
| 2.2.3 外延层的其他表征手段 | 第26页 |
| 2.3 硅外延设备 | 第26-29页 |
| 2.4 硅外延片在半导体器件中的应用 | 第29-33页 |
| 2.4.1 SBD管 | 第29-31页 |
| 2.4.2 VDMOS管 | 第31-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 提升外延参数均匀性的工艺设计 | 第34-56页 |
| 3.1 提升外延层电阻率均匀性的工艺设计 | 第34-46页 |
| 3.1.1 外延层中自掺杂机理分析和气相/固相扩散 | 第34-37页 |
| 3.1.2 改善电阻率均匀性的方法 | 第37-39页 |
| 3.1.3 提升电阻率均匀性的工艺设计及实验结果 | 第39-46页 |
| 3.2 提升外延层厚度均匀性的工艺设计 | 第46-55页 |
| 3.2.1 外延层厚度均匀性影响因素分析 | 第46-48页 |
| 3.2.2 生长速率对于厚度均匀性的影响 | 第48-49页 |
| 3.2.3 生长温度对于厚度均匀性的影响 | 第49-50页 |
| 3.2.4 提升厚度均匀性的工艺设计及实验结果 | 第50-55页 |
| 3.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第4章 提高外延层晶体质量的工艺设计 | 第56-71页 |
| 4.1 外延主要缺陷分析及工艺设计 | 第56-65页 |
| 4.1.1 外延层错 | 第56-58页 |
| 4.1.2 滑移线 | 第58-60页 |
| 4.1.3 雾状缺陷 | 第60-61页 |
| 4.1.4 外延层缺陷改进工艺设计及实验结果 | 第61-63页 |
| 4.1.5 一种新型环保的腐蚀方法 | 第63-65页 |
| 4.2 外延层重金属沾污分析及工艺设计 | 第65-69页 |
| 4.2.1 重金属沾污影响因素分析 | 第65-66页 |
| 4.2.2 降低重金属沾污的方法和工艺 | 第66-67页 |
| 4.2.3 降低外延层重金属沾污的实验结果 | 第67-69页 |
| 4.3 本章小结 | 第69-71页 |
| 第5章 两种硅器件产品外延工艺设计和实现 | 第71-82页 |
| 5.1 某SBD用超薄层外延产品的工艺设计和实现 | 第72-77页 |
| 5.2 某低压VDMOS产品的硅外延工艺设计和实现 | 第77-81页 |
| 5.3 本章小结 | 第81-82页 |
| 第6章 本文工作总结和展望 | 第82-85页 |
| 6.1 工作总结 | 第82-83页 |
| 6.2 工作展望 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |