| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第10页 |
| 1.2 GaN基材料的特性 | 第10-13页 |
| 1.2.1 GaN基材料的基本特性及优势 | 第10-11页 |
| 1.2.2 AlGaN材料的基本特性 | 第11-12页 |
| 1.2.3 非极性半极性GaN基材料的特性 | 第12-13页 |
| 1.3 p型GaN基材料 | 第13-16页 |
| 1.3.1 p型GaN基材料面临的问题 | 第13-15页 |
| 1.3.2 p型GaN基材料的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 论文的研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 外延生长技术及表征方法 | 第17-24页 |
| 2.1 MOCVD外延生长技术 | 第17-19页 |
| 2.1.1 MOCVD设备介绍 | 第17-18页 |
| 2.1.2 MOCVD生长机理 | 第18-19页 |
| 2.2 快速退火炉系统 | 第19-20页 |
| 2.2.1 快速退火炉工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2.2 本实验使用的退火炉 | 第20页 |
| 2.3 表征方法 | 第20-22页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第20-21页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜与能量色散谱 | 第21页 |
| 2.3.3 紫外可见分光光度计 | 第21-22页 |
| 2.3.4 Hall效应测试仪 | 第22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 p型GaN材料的生长与退火 | 第24-30页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 p-GaN材料的生长 | 第24-26页 |
| 3.2.1 p-GaN材料的层结构设计 | 第24-25页 |
| 3.2.2 p-GaN材料的生长工艺参数设计 | 第25-26页 |
| 3.3 p-GaN材料的表征 | 第26-27页 |
| 3.3.1 表面形貌分析 | 第26页 |
| 3.3.2 XRD结果分析 | 第26-27页 |
| 3.3.3 电学性能分析 | 第27页 |
| 3.4 p-GaN材料的热退火 | 第27-29页 |
| 3.4.1 退火条件设计 | 第27-28页 |
| 3.4.2 退火结果分析 | 第28-29页 |
| 3.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 p型AlGaN材料的生长与退火 | 第30-41页 |
| 4.1 引言 | 第30页 |
| 4.2 缓冲层对Mg掺杂AlGaN材料特性的影响 | 第30-35页 |
| 4.2.1 Mg掺杂AlGaN材料层结构设计 | 第30-31页 |
| 4.2.2 Mg掺杂AlGaN材料生长工艺参数设计 | 第31-32页 |
| 4.2.3 缓冲层对Mg掺杂AlGaN材料特性的影响分析 | 第32-35页 |
| 4.3 Mg delta掺杂AlGaN材料的生长与优化 | 第35-37页 |
| 4.3.1 Mg的delta掺杂对AlGaN材料特性的影响 | 第35页 |
| 4.3.2 delta掺杂A1GaN材料生长条件的优化 | 第35-36页 |
| 4.3.3 delta掺杂A1GaN材料表征结果分析 | 第36-37页 |
| 4.4 Mg掺杂A1GaN材料的热退火 | 第37-39页 |
| 4.4.1 热退火对表面形貌的影响 | 第37页 |
| 4.4.2 退火条件的优化 | 第37-39页 |
| 4.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第五章 Mg掺杂半极性和非极性GaN基材料的生长与表征 | 第41-50页 |
| 5.1 前言 | 第41页 |
| 5.2 Mg掺杂半极性AlGaN材料的生长 | 第41-42页 |
| 5.3 Mg掺杂半极性AlGaN材料的表征 | 第42-46页 |
| 5.3.1 不同Al组分AlGaN材料的表征结果分析 | 第42-44页 |
| 5.3.2 不同Mg掺杂流量的p型AlGaN材料的表征 | 第44-46页 |
| 5.4 非极性Mg掺杂GaN材料的生长与表征 | 第46-49页 |
| 5.4.1 XRD扫描结果分析 | 第47-48页 |
| 5.4.2 表面形貌分析 | 第48-49页 |
| 5.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第六章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 6.1 全文总结 | 第50页 |
| 6.2 未来展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录：攻读硕士学位期间的研究成果 | 第57页 |
