| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-35页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第15-17页 |
| 1.2 GaN基材料的特性 | 第17-25页 |
| 1.2.1 GaN基材料的晶体结构和能带结构 | 第17-19页 |
| 1.2.2 GaN基材料的禁带宽度 | 第19-21页 |
| 1.2.3 GaN基材料的极化效应 | 第21-25页 |
| 1.3 GaN基紫外探测器简介 | 第25-27页 |
| 1.4 非极性GaN基材料及紫外探测器研究现状 | 第27-28页 |
| 1.5 非极性GaN基材料及紫外探测器存在的主要问题 | 第28-29页 |
| 1.6 本论文的框架结构及主要内容 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-35页 |
| 第二章 MOCVD技术、GaN基材料及探测器表征方法 | 第35-61页 |
| 2.1 引言 | 第35页 |
| 2.2 GaN基材料的MOCVD技术 | 第35-41页 |
| 2.2.1 MOCVD系统 | 第35-38页 |
| 2.2.2 GaN基材料的MOCVD生长技术 | 第38-39页 |
| 2.2.3 生长条件对GaN基材料质量的影响 | 第39-40页 |
| 2.2.4 生长GaN基材料的衬底 | 第40-41页 |
| 2.3 GaN基材料的表征方法 | 第41-55页 |
| 2.3.1 紫外-可见分光光度计 | 第42-43页 |
| 2.3.2 光学显微镜 | 第43-44页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第44-45页 |
| 2.3.4 X射线能量色散谱 | 第45-46页 |
| 2.3.5 高分辨X射线衍射 | 第46-48页 |
| 2.3.6 霍尔效应测试 | 第48-50页 |
| 2.3.7 X射线光电子能谱 | 第50-52页 |
| 2.3.8 拉曼散射光谱 | 第52-53页 |
| 2.3.9 光致发光光谱 | 第53-55页 |
| 2.4 GaN基紫外探测器的表征方法 | 第55-58页 |
| 2.4.1 GaN基紫外探测器的性能参数 | 第55-57页 |
| 2.4.2 GaN基紫外探测器的性能测试 | 第57-58页 |
| 2.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第三章 非极性GaN材料的外延生长及表征 | 第61-83页 |
| 3.1 引言 | 第61页 |
| 3.2 利用GaN成核层生长非极性a面GaN材料的研究 | 第61-69页 |
| 3.2.1 利用GaN成核层生长非极性a面GaN外延层 | 第61-63页 |
| 3.2.2 利用GaN成核层生长的非极性a面GaN外延层的性质研究 | 第63-69页 |
| 3.3 利用AlN缓冲层生长非极性a面GaN材料的研究 | 第69-72页 |
| 3.3.1 利用AlN缓冲层生长非极性a面GaN外延层 | 第69-70页 |
| 3.3.2 利用AlN缓冲层生长的非极性a面GaN外延层的性质研究 | 第70-72页 |
| 3.4 Si掺杂对非极性a面GaN材料性质的影响 | 第72-76页 |
| 3.4.1 Si掺杂非极性a面GaN外延层的生长 | 第72-73页 |
| 3.4.2 Si掺杂非极性a面GaN外延层性质的研究 | 第73-76页 |
| 3.5 Mg掺杂对非极性a面GaN材料性质的影响 | 第76-79页 |
| 3.5.1 Mg掺杂非极性a面GaN外延层的生长 | 第76-77页 |
| 3.5.2 Mg掺杂非极性a面GaN外延层性质的研究 | 第77-79页 |
| 3.6 本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第四章 非极性AlGaN材料的外延生长及表征 | 第83-95页 |
| 4.1 引言 | 第83-84页 |
| 4.2 利用低温AlN成核层生长非极性a面AlGaN材料及性质研究 | 第84-86页 |
| 4.2.1 利用低温AlN成核层生长非极性a面AlGaN材料 | 第84页 |
| 4.2.2 利用低温AlN成核层生长的非极性a面AlGaN材料的性质研究 | 第84-86页 |
| 4.3 利用高温AlN缓冲层生长非极性a面AlGaN材料及性质研究 | 第86-89页 |
| 4.3.1 利用高温AlN缓冲层生长非极性a面AlGaN材料 | 第86-87页 |
| 4.3.2 利用高温AlN缓冲层生长的非极性a面AlGaN材料的性质研究 | 第87-89页 |
| 4.4 利用AlGaN插入层生长非极性a面AlGaN材料及性质研究 | 第89-93页 |
| 4.4.1 利用AlGaN插入层生长非极性a面AlGaN材料 | 第89-90页 |
| 4.4.2 利用AlGaN插入层生长的非极性a面AlGaN材料的性质研究 | 第90-93页 |
| 4.5 本章小结 | 第93页 |
| 参考文献 | 第93-95页 |
| 第五章 非极性和极性AlGaN材料的掺杂及性质研究 | 第95-111页 |
| 5.1 引言 | 第95页 |
| 5.2 Si掺杂极性c面和非极性a面AlGaN材料的外延生长 | 第95-97页 |
| 5.3 Si掺杂对极性c面和非极性a面AlGaN材料性质的影响 | 第97-105页 |
| 5.3.1 Si掺杂AlGaN材料的极性和Al组分研究 | 第97-98页 |
| 5.3.2 Si掺杂对极性c面和非极性a面AlGaN材料应力的影响 | 第98-100页 |
| 5.3.3 Si掺杂对极性c面和非极性a面AlGaN材料表面形貌的影响 | 第100-101页 |
| 5.3.4 Si掺杂对极性c面和非极性a面AlGaN材料结构性质的影响 | 第101-103页 |
| 5.3.5 Si掺杂对极性c面和非极性a面AlGaN材料电学性质的影响 | 第103页 |
| 5.3.6 Si掺杂对极性c面和非极性a面AlGaN材料光学性质的影响 | 第103-105页 |
| 5.4 Mg掺杂极性c面AlGaN材料的生长及性质研究 | 第105-108页 |
| 5.4.1 Mg掺杂极性c面AlGaN材料的生长 | 第105-106页 |
| 5.4.2 Mg掺杂极性c面AlGaN材料的表征与分析 | 第106-108页 |
| 5.5 本章小结 | 第108页 |
| 参考文献 | 第108-111页 |
| 第六章 极性AlGaN材料的表面性质研究 | 第111-127页 |
| 6.1 引言 | 第111页 |
| 6.2 极性AlN和AlGaN材料的外延生长 | 第111-112页 |
| 6.3 ARXPS测试的原理 | 第112-113页 |
| 6.4 极性AlN和AlGaN材料的表面性质研究 | 第113-118页 |
| 6.4.1 极性AlN材料的表面性质研究 | 第113-115页 |
| 6.4.2 极性AlGaN材料的表面性质研究 | 第115-118页 |
| 6.5 不同Al组分极性AlGaN材料的外延生长 | 第118-119页 |
| 6.6 极性AlGaN材料的表面性质与Al组分的关系 | 第119-125页 |
| 6.6.1 极性AlGaN材料表面的元素分布与Al组分的关系 | 第119-120页 |
| 6.6.2 极性AlGaN材料的Ga俄歇效应与Al组分的关系 | 第120-121页 |
| 6.6.3 极性AlGaN材料的表面氧化过程与Al组分的关系 | 第121-123页 |
| 6.6.4 极性AlGaN材料的元素分布均匀性与Al组分的关系 | 第123-125页 |
| 6.7 本章小结 | 第125页 |
| 参考文献 | 第125-127页 |
| 第七章 GaN基紫外探测器的设计及制备技术 | 第127-143页 |
| 7.1 引言 | 第127页 |
| 7.2 极性c面AlGaN多量子阱的外延生长及性质研究 | 第127-134页 |
| 7.2.1 极性c面AlGaN多量子阱的外延生长 | 第127-128页 |
| 7.2.2 极性c面AlGaN多量子阱的性质研究 | 第128-134页 |
| 7.3 基于AlInGaN多量子阱结构的GaN基紫外探测器的设计 | 第134-137页 |
| 7.4 GaN基紫外偏振敏感探测器的制备及性能研究 | 第137-139页 |
| 7.4.1 GaN基紫外偏振敏感探测器的制备 | 第137页 |
| 7.4.2 GaN基紫外偏振敏感探测器的性能研究 | 第137-139页 |
| 7.5 本章小结 | 第139页 |
| 参考文献 | 第139-143页 |
| 第八章 总结与展望 | 第143-147页 |
| 8.1 论文总结 | 第143-145页 |
| 8.2 研究展望 | 第145-147页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第147-149页 |
| 致谢 | 第149页 |
