| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章引言 | 第9-10页 |
| 1.1 半导体芯片用多晶硅原料 | 第9页 |
| 1.2 多晶硅材料需求与供给 | 第9页 |
| 1.3 多晶硅工艺性能价格比 | 第9页 |
| 1.4 物理冶金三步法 | 第9-10页 |
| 第二章 改良西门子法 | 第10-15页 |
| 2.1 传统西门子法特点 | 第10-11页 |
| 2.2 氯氢化技术 | 第11页 |
| 2.3 转化二氯二氢硅技术 | 第11-12页 |
| 2.4 改良西门子法精馏工艺优选 | 第12-15页 |
| 第三章 硅烷法 | 第15-16页 |
| 3.1 硅烷法 | 第15页 |
| 3.2 硅烷法与西门子法区别 | 第15-16页 |
| 3.3 硅烷法安全问题 | 第16页 |
| 第四章 流化床法 | 第16-18页 |
| 4.1 ASiMi公司 | 第16页 |
| 4.2 REC公司 | 第16-18页 |
| 4.3 FBR工艺难点 | 第18页 |
| 4.4 流化床法不断优化 | 第18页 |
| 第五章 物理冶金法之一矽門牌三步法 | 第18-23页 |
| 5.1 物理冶金法起端 | 第18-19页 |
| 5.2 太阳能多晶硅标准 | 第19-20页 |
| 5.3 三步法 | 第20页 |
| 5.4.矽門牌多晶硅市场贡献率 | 第20-21页 |
| 5.5 矽門牌硅氚球的应用 | 第21-22页 |
| 5.6 采用物理冶金三步法在顿涅茨克共和国大规模生产多晶硅材料具有可行性 | 第22-23页 |
| 结论 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-25页 |
| 致谢 | 第25-26页 |