| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第13-15页 |
| 第二章 直拉硅中点缺陷与氧沉淀的研究现状 | 第15-47页 |
| 摘要 | 第15页 |
| 2.1 引言 | 第15-16页 |
| 2.2 直拉硅的生长 | 第16-17页 |
| 2.3 直拉硅中氧的基本性质 | 第17-20页 |
| 2.4 直拉硅中本征点缺陷的基本性质 | 第20-22页 |
| 2.5 杂质原子与本征点缺陷、间隙氧之间的相互作用 | 第22-35页 |
| 2.5.1 杂质原子对硅中本征点缺陷的影响 | 第22-28页 |
| 2.5.2 杂质原子与间隙氧的相互作用 | 第28-33页 |
| 2.5.3 杂质原子对直拉硅中空位-氧复合体形成的影响 | 第33-35页 |
| 2.6 直拉硅中的氧沉淀 | 第35-40页 |
| 2.6.1 氧沉淀的基本性质 | 第36-37页 |
| 2.6.2 直拉硅中的点缺陷对氧沉淀的影响 | 第37-39页 |
| 2.6.3 杂质对直拉硅中氧沉淀的影响 | 第39-40页 |
| 2.7 直拉硅的内吸杂技术 | 第40-44页 |
| 2.7.1 常用的内吸杂工艺 | 第40-41页 |
| 2.7.2 影响内吸杂效率的因素 | 第41-44页 |
| 2.8 直拉硅中氧沉淀的电学性能 | 第44-45页 |
| 2.9 本论文的研究目的 | 第45-47页 |
| 第三章 实验样品和研究方法 | 第47-51页 |
| 3.1 实验样品 | 第47页 |
| 3.2 研究方法 | 第47-48页 |
| 3.3 样品的基本参数与微缺陷的测试 | 第48-51页 |
| 第四章 300mm直拉硅中的原生氧沉淀 | 第51-63页 |
| 摘要 | 第51页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 实验 | 第52-53页 |
| 4.3 300mm直拉硅片径向上铜沉淀的分布 | 第53-56页 |
| 4.4 300mm直拉硅片径向上原生氧沉淀的分布 | 第56-60页 |
| 4.5 原生氧沉淀对铜沉淀分布的影响机制的探讨 | 第60-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 10~(20)cm~(-3)量级的锗掺杂对硅中氧相关缺陷的影响 | 第63-75页 |
| 摘要 | 第63页 |
| 5.1 引言 | 第63-64页 |
| 5.2 实验 | 第64-65页 |
| 5.3 Ge掺杂对直拉硅中空位-氧复合体形成的影响 | 第65-67页 |
| 5.4 Ge掺杂对直拉硅中氧扩散的影响 | 第67-68页 |
| 5.5 Ge掺杂对直拉硅中氧沉淀的影响 | 第68-72页 |
| 5.6 本章小结 | 第72-75页 |
| 第六章 直拉Si_(1-x)Ge_x单晶中氧相关缺陷的研究 | 第75-87页 |
| 摘要 | 第75页 |
| 6.1 引言 | 第75-76页 |
| 6.2 实验与计算 | 第76-77页 |
| 6.3 Si_(1-x)Ge_x中的氧沉淀 | 第77-79页 |
| 6.4 Si_(1-x)Ge_x中的空位-氧复合体 | 第79-80页 |
| 6.5 Si_(1-x)Ge_x中氧的外扩散 | 第80-83页 |
| 6.6 密度泛函理论计算Ge掺杂对直拉硅中空位形成能的影响 | 第83-84页 |
| 6.7 密度泛函理论计算Ge掺杂对直拉硅中空位-氧复合体形成的影响 | 第84-85页 |
| 6.8 本章小结 | 第85-87页 |
| 第七章 直拉硅中氮-氧复合体的一个施主能级：E_C-84 meV | 第87-99页 |
| 摘要 | 第87页 |
| 7.1 引言 | 第87-88页 |
| 7.2 实验 | 第88页 |
| 7.3 经过氮气下RTP处理的硅片表面的化学状态 | 第88-90页 |
| 7.4 直拉硅中氮的深度分布 | 第90-91页 |
| 7.5 氮在硅中主要的存在形式 | 第91-92页 |
| 7.6 直拉硅中氮-氧复合体的一个施主能级：E_C-84 meV | 第92-94页 |
| 7.7 氮-氧复合体的热稳定性研究 | 第94-96页 |
| 7.8 本章小结 | 第96-99页 |
| 第八章 氮掺杂对n/n~+硅外延片内吸杂能力的影响 | 第99-115页 |
| 摘要 | 第99页 |
| 8.1 引言 | 第99-100页 |
| 8.2 实验 | 第100-101页 |
| 8.3 基于氮气下RTP处理的氮掺杂 | 第101-102页 |
| 8.4 氮掺杂对重掺砷直拉硅衬底中氧沉淀的影响 | 第102-105页 |
| 8.5 n/n~+硅外延片的铜吸杂 | 第105-110页 |
| 8.6 n/n~+硅外延片的铁吸杂 | 第110-113页 |
| 8.7 本章小结 | 第113-115页 |
| 第九章 直拉硅中的氧沉淀对载流子输运的影响 | 第115-131页 |
| 摘要 | 第115页 |
| 9.1 引言 | 第115-116页 |
| 9.2 问题的提出 | 第116-119页 |
| 9.3 实验 | 第119页 |
| 9.4 直拉硅中的氧沉淀对载流子输运的影响 | 第119-124页 |
| 9.5 金属杂质缀饰氧沉淀后直拉硅电阻率的变化 | 第124-128页 |
| 9.6 金属杂质缀饰后氧沉淀界面态密度的变化 | 第128-130页 |
| 9.7 本章小结 | 第130-131页 |
| 第十章 全文总结与展望 | 第131-135页 |
| 10.1 全文总结 | 第131-134页 |
| 10.2 对未来工作的展望 | 第134-135页 |
| 参考文献 | 第135-153页 |
| 致谢 | 第153页 |
