| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| §1.1 引言 | 第11页 |
| §1.2 GaN材料基本性质 | 第11-16页 |
| §1.2.1 GaN材料的结构 | 第11-13页 |
| §1.2.2 GaN材料其他性质和参数 | 第13-16页 |
| §1.3 GaN基材料的研究进展 | 第16-17页 |
| §1.4 InN及InGaN合金材料的研究 | 第17-20页 |
| §1.5 半导体材料常用的表征手段 | 第20-30页 |
| §1.5.1 高分辨X射线衍射 | 第20-22页 |
| §1.5.2 透射电子显微术(TEM) | 第22-28页 |
| §1.5.3 原子力显微镜(AFM) | 第28-29页 |
| §1.5.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
| §1.5.5 聚焦离子束(FIB) | 第30页 |
| §1.6 论文结构和研究内容 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 第二章 高In组分InGaN材料的设计与生长 | 第35-45页 |
| §2.1 引言 | 第35-37页 |
| §2.2 高In组分InGaN材料的结构设计与制备 | 第37-39页 |
| §2.2.1 高In组分InGaN材料结构的设计 | 第37-38页 |
| §2.2.2 高In组分InGaN材料的生长 | 第38-39页 |
| §2.3 纳米雕刻(Nano-Sculpting)的InGaN薄膜生长中的原理和作用 | 第39-42页 |
| §2.3.1 纳米雕刻过程与原理 | 第39-40页 |
| §2.3.2 纳米雕刻的作用 | 第40-42页 |
| §2.4 本章小结 | 第42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 第三章 高In组分InGaN材料In组分的确定 | 第45-57页 |
| §3.1 引言 | 第45-52页 |
| §3.1.1 倒易空间图分析原理 | 第46-48页 |
| §3.1.2 弛豫线模型 | 第48-51页 |
| §3.1.3 以X射线测量多量子阱的厚度级组分 | 第51-52页 |
| §3.2 高In组分InGaN多量子阱p-i-n In组分的计算 | 第52-55页 |
| §3.3 误差分析 | 第55页 |
| §3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第四章 高In组分InGaN材料微结构的表征 | 第57-79页 |
| §4.1 引言 | 第57-60页 |
| §4.1.1 InGaN材料的无序相分离 | 第57-58页 |
| §4.1.2 InGaN材料中的有序相分离(InGaN自发型组分调制) | 第58-59页 |
| §4.1.3 生长在粗糙衬底(缓冲层)外延薄膜的研究 | 第59-60页 |
| §4.2 生长在粗糙界面上InGaN/GaN多量子阱薄膜的特性和微结构表征 | 第60-71页 |
| §4.2.1 粗糙界面上InGaN/GaN多量子阱薄膜的TEM表征 | 第61-67页 |
| §4.2.2 粗糙界面上InGaN/GaN多量子阱薄膜的XRD倒易空间图表征 | 第67-70页 |
| §4.2.4 小结 | 第70-71页 |
| §4.3 应变弛豫厚的InGaN薄膜中的组分调制现象的的研究 | 第71-74页 |
| §4.3.1 InGaN合金中1：1的结构(有序的In_(0.5)Ga_(0.5)N合金) | 第71页 |
| §4.3.2 InGaN薄膜中的自发型超晶格 | 第71-74页 |
| §4.3.3 小结 | 第74页 |
| §4.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 第五章 热退火对InGaN生长与微结构的影响 | 第79-91页 |
| §5.1 引言 | 第79页 |
| §5.2 热退火对InGaN材料表面的形貌的研究 | 第79-82页 |
| §5.3 退火对高In组分InGaN p-i-n多量子阱结构形貌,结构以及表面漏电流的影响 | 第82-86页 |
| §5.3.1 退火对高In组分InGaN p-i-n多量子阱结构表面形貌的改变 | 第82-83页 |
| §5.3.2 退火对高In组分InGaN p-i-n多量子阱结构改变的研究 | 第83-85页 |
| §5.3.3 退火对高In组分InGaN p-i-n多量子阱材料便面漏电流改变的研究 | 第85-86页 |
| §5.4 热退火对InGaN的MBE生长的影响 | 第86-88页 |
| §5.5 本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 总结 | 第91-93页 |
| 附录-TEM样品的制备(机械和FIB切割减薄) | 第93-109页 |
| 一, 制作TEM样品的总体要求 | 第93页 |
| 二, TEM样品的准备过程 | 第93-108页 |
| 方法一：机械切割研磨 | 第93-102页 |
| 方法二：FIB切割减薄 | 第102-108页 |
| 三, FIB较机械研磨的方法的优缺点 | 第108页 |
| 四, 小结 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 发表论文情况 | 第110-111页 |
