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材料
GaAs(Sb,Bi)的光学和自旋极化特性研究
红外高折射率材料碲锗铅的生长、性能及应用研究
弱无序红外半导体合金材料的变条件光致发光谱研究
改性石墨相氮化碳及其复合物的光催化性能研究
ZnO基透明导电薄膜的湿化学制备
半导体光催化剂Bi2Fe4O9的软化学合成与可见光催化性质表征
石墨稀负载p型-n型半导体氧化物及其气敏性能研究
合金精炼—造渣法提纯冶金硅的研究
TiC/n型4H-SiC氮氢等离子体处理与欧姆接触关系的研究
Si-Al(-Sn)合金凝固精炼过程中硼杂质分凝行为的研究
SiC/SiO2界面形成机理及界面缺陷的第一性原理研究
基于薁的有机小分子半导体材料的设计与合成
大尺寸单晶硅阵列窄沟槽磨削加工技术研究
氧化物半导体纳米材料的改性及其光催化特性研究
掺杂GaN和GaN/ZnO界面光电性质的第一性原理研究
薄层二硫化钼中的激子性质研究
单层二硫化钼的光学性能及其调控研究
MOCVD法制备氧化铝薄膜及其阻变特性
g-C3N4及其复合材料的磁性与光催化研究
基于自适应滤波的降阶在线系统辨识
掺杂金红石相宽禁带半导体磁性及介电性质的研究
ZnO纳米材料及PbS QDs/ZnO异质结制备和光电性能研究
氮空位引起的氮化铟相变—第一性原理研究
C对ZnS:Co磁性的调制作用研究
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶的掺杂调控合成及光电性能研究
ZnS的p型掺杂及其光学性质的理论研究
基于新型共聚物和钙钛矿材料的激光性能研究
4H-SiC欧姆接触研究及其应用
Zn、Cu掺杂AlN纳米结构的制备及发光性能的研究
应变及掺杂对GaN及InN光电性质影响的第一性原理研究
Mn、Cr双掺ZnO的磁光性质的研究
有机半导体材料中电荷转移的理论研究
ZnO基半导体电致发光材料与器件的理论研究
CVD法制备石墨烯及其在有机薄膜晶体管中的应用
高铟组分铟镓氮材料的超快载流子动力学研究
单元素窄禁带半导体纳米结构的第一性原理研究
低维材料杂质和缺陷的理论研究和应用
基于双重预测PI的单晶硅直径控制系统
典型半导体材料电学性能的温度依赖特性研究
In2S3薄膜的磁控溅射法制备及性能研究
基于HF溶液选择性刻蚀的单晶硅亚表面非晶损伤层探测方法研究
单晶硅表面氢钝化时效性及其对摩擦学性能的影响
微/纳尺度氧化亚铜的可控制备及其可见光光催化特性
红荧烯分子单重态激子裂变的分子间距依赖关系的研究
冶金硅渣氧化行为及其多孔材料的制备和性能研究
局部应变对低维半导体材料的性质调制
准分子激光辐照氮化镓外延片及其改性研究
基于芬顿反应的单晶SiC化学机械抛光加工研究
ZnO/GaN直接键合工艺的研究
AlGaN超晶格界面调控及其电学特性
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