| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 ESD防护国内外研究现状及发展 | 第9-13页 |
| 1.3 论文的主要内容及结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 ESD防护的基本原理 | 第15-32页 |
| 2.1 ESD防护原理及要求 | 第15-18页 |
| 2.1.1 ESD防护原理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 ESD防护要求 | 第16-18页 |
| 2.2 常规ESD防护器件 | 第18-22页 |
| 2.2.1 二极管 | 第18-19页 |
| 2.2.2 BJT管 | 第19-20页 |
| 2.2.3 MOS管 | 第20-21页 |
| 2.2.4 SCR器件 | 第21-22页 |
| 2.3 ESD模型 | 第22-29页 |
| 2.3.1 人体模型 | 第22-24页 |
| 2.3.2 机器模型 | 第24-25页 |
| 2.3.3 组件充电模型 | 第25-27页 |
| 2.3.4 传输线脉冲模型 | 第27-29页 |
| 2.4 ESD失效判定 | 第29-31页 |
| 2.4.1 绝对漏电流值 | 第29页 |
| 2.4.2 I-V特性曲线漂移 | 第29-30页 |
| 2.4.3 MOS管阈值电压 | 第30页 |
| 2.4.4 芯片功能观测法 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 内嵌P区SCR-LDMOS结构的ESD特性研究 | 第32-45页 |
| 3.1 传统SCR-LDMOS结构的工作原理 | 第32-35页 |
| 3.1.1 器件结构 | 第32-33页 |
| 3.1.2 工作原理分析 | 第33-35页 |
| 3.2 内嵌P区SCR-LDMOS结构的工作原理 | 第35-37页 |
| 3.2.1 器件结构设计 | 第35页 |
| 3.2.2 工作原理分析 | 第35-37页 |
| 3.3 内嵌P区SCR-LDMOS结构的仿真分析 | 第37-42页 |
| 3.3.1 ESD防护特性 | 第37-38页 |
| 3.3.2 触发点特性 | 第38-39页 |
| 3.3.3 维持点特性 | 第39-40页 |
| 3.3.4 二次击穿点特性 | 第40-42页 |
| 3.4 内嵌P区SCR-LDMOS结构的参数优化 | 第42-44页 |
| 3.4.1 P区位置分析 | 第42-43页 |
| 3.4.2 P区长度分析 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 PMOS触发SCR结构的ESD特性研究 | 第45-57页 |
| 4.1 SCR结构的ESD防护原理及特性 | 第45-48页 |
| 4.1.1 传统型SCR结构的ESD防护特性 | 第45-47页 |
| 4.1.2 改进型SCR结构的ESD防护特性 | 第47-48页 |
| 4.2 外部PMOS触发SCR结构的工作原理 | 第48-50页 |
| 4.2.1 器件结构设计 | 第48-49页 |
| 4.2.2 工作原理分析 | 第49-50页 |
| 4.3 PMOS触发并箝拉内部电压的SCR结构的工作原理 | 第50-52页 |
| 4.3.1 器件结构设计 | 第50页 |
| 4.3.2 工作原理分析 | 第50-52页 |
| 4.4 PMOS触发并箝拉内部电压的SCR结构的仿真分析 | 第52-56页 |
| 4.4.1 ESD防护特性 | 第52-54页 |
| 4.4.2 PMOS栅长分析 | 第54-55页 |
| 4.4.3 NMOS栅长分析 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结和展望 | 第57-59页 |
| 5.1 总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第65-66页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第66-67页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
