| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第14-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-31页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物材料的研究意义及制备方法 | 第21-23页 |
| 1.1.1 氮化物材料的研究意义 | 第21-22页 |
| 1.1.2 GaN材料制备方法 | 第22-23页 |
| 1.2 磁控溅射AlN上GaN的研究意义和研究现状 | 第23-27页 |
| 1.2.1 AlN的特性 | 第23页 |
| 1.2.2 AlN的制备方法 | 第23-25页 |
| 1.2.3 磁控溅射AlN上GaN的研究意义和研究现状 | 第25-27页 |
| 1.3 石墨烯上GaN的研究意义及制备方法 | 第27-29页 |
| 1.3.1 石墨烯的研究意义 | 第27页 |
| 1.3.2 石墨烯的制备方法 | 第27-28页 |
| 1.3.3 石墨烯上GaN的研究意义 | 第28页 |
| 1.3.4 石墨烯上GaN的研究进展 | 第28-29页 |
| 1.4 本文的研究内容和安排 | 第29-31页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物MOCVD生长及表征 | 第31-43页 |
| 2.1 MOCVD生长氮化物材料 | 第31-33页 |
| 2.2 Ⅲ族氮化物半导体研究主要测试表征方法 | 第33-41页 |
| 2.2.1 高分辨率X射线衍射分析 | 第33-36页 |
| 2.2.2 拉曼 | 第36-37页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第37-38页 |
| 2.2.4 原子力显微镜 | 第38-39页 |
| 2.2.5 霍尔效应测试 | 第39页 |
| 2.2.6 电容-电压测试 | 第39-40页 |
| 2.2.7 光致发光分析 | 第40页 |
| 2.2.8 透射电子显微镜 | 第40页 |
| 2.2.9 二次离子质谱分析 | 第40-41页 |
| 2.2.10 X射线光电子能谱 | 第41页 |
| 2.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 基于磁控溅射AlN的高质量GaN生长研究 | 第43-51页 |
| 3.1 磁控溅射AlN上GaN的研究意义 | 第43-44页 |
| 3.2 磁控溅射AlN上高质量GaN材料的生长及机理分析 | 第44-47页 |
| 3.2.1 磁控溅射AlN上GaN材料的生长 | 第44-45页 |
| 3.2.2 位错降低机理分析 | 第45-47页 |
| 3.3 磁控溅射AlN上低螺位错GaN材料的生长 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 基于磁控溅射AlN的高阻GaN生长及异质结构研究 | 第51-71页 |
| 4.1 杂质来源分析 | 第51-52页 |
| 4.2 AlN插入层的V/Ⅲ比优化 | 第52-59页 |
| 4.2.1 引入AlN插入层的意义 | 第52-53页 |
| 4.2.2 不同V/Ⅲ比的AlN插入层生长 | 第53-55页 |
| 4.2.3 表面形貌与杂质结合分析 | 第55-58页 |
| 4.2.4 电学特性分析 | 第58-59页 |
| 4.3 缓冲层结构优化 | 第59-63页 |
| 4.3.1 优化缓冲层结构的意义 | 第59-63页 |
| 4.4 AlGaN/GaN异质结构特性 | 第63-65页 |
| 4.5 混合极性GaN | 第65-68页 |
| 4.5.1 混合极性GaN的研究意义与研究现状 | 第65-67页 |
| 4.5.2 混合极性GaN的生长 | 第67-68页 |
| 4.6 本章小结 | 第68-71页 |
| 第五章 基于范德华外延的石墨烯上GaN研究 | 第71-85页 |
| 5.1 石墨烯上GaN的优势 | 第71-72页 |
| 5.2 石墨烯上GaN的初步研究 | 第72-75页 |
| 5.2.1 石墨烯上GaN的生长 | 第72页 |
| 5.2.2 石墨烯上GaN的特性分析 | 第72-75页 |
| 5.3 硅衬底的石墨烯上GaN | 第75-77页 |
| 5.3.1 硅衬底的石墨烯上GaN生长 | 第75-76页 |
| 5.3.2 硅衬底的石墨烯上GaN的特性分析 | 第76-77页 |
| 5.4 多层石墨烯 | 第77-79页 |
| 5.4.1 多层石墨烯的意义 | 第77-78页 |
| 5.4.2 多层石墨烯上GaN的生长 | 第78页 |
| 5.4.3 多层石墨烯上GaN的特性分析 | 第78-79页 |
| 5.5 石墨烯上GaN层结构的优化 | 第79-81页 |
| 5.5.1 GaN层结构的优化方法 | 第79-80页 |
| 5.5.2 优化后的特性分析 | 第80-81页 |
| 5.6 石墨烯质量优化 | 第81-83页 |
| 5.6.1 石墨烯工艺的优化 | 第81-82页 |
| 5.6.2 优化的石墨烯上GaN的特性分析 | 第82-83页 |
| 5.7 本章小结 | 第83-85页 |
| 第六章 基于磁控溅射AlN和石墨烯过渡层的GaN材料生长 | 第85-97页 |
| 6.1 基于磁控溅射AlN成核层的石墨烯上GaN | 第85-88页 |
| 6.1.1 使用磁控溅射AlN成核层的意义 | 第85-86页 |
| 6.1.2 基于磁控溅射AlN基板的石墨烯上GaN的特性分析 | 第86-88页 |
| 6.2 脉冲法生长AlN插入层 | 第88-93页 |
| 6.2.1 脉冲法的意义 | 第88-89页 |
| 6.2.2 基于脉冲法的石墨烯上GaN生长 | 第89-90页 |
| 6.2.3 基于脉冲法的石墨烯上GaN的特性分析 | 第90-91页 |
| 6.2.4 位错降低机理分析 | 第91-93页 |
| 6.3 半极性面特征研究 | 第93-95页 |
| 6.3.1 半极性面GaN的研究意义 | 第93页 |
| 6.3.2 M面蓝宝石衬底上的石墨烯上GaN | 第93-95页 |
| 6.4 本章小结 | 第95-97页 |
| 第七章 总结与展望 | 第97-101页 |
| 7.1 本文主要结论 | 第97-98页 |
| 7.2 未来的工作 | 第98-101页 |
| 参考文献 | 第101-111页 |
| 致谢 | 第111-113页 |
| 作者简介 | 第113-115页 |
