强电磁环境中纳米MOS的可靠性
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第15-17页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 论文方法和主要研究内容 | 第18-21页 |
| 第二章 强电磁脉冲作用机理 | 第21-31页 |
| 2.1 器件强电磁脉冲损伤的物理机制 | 第21-23页 |
| 2.1.1 雪崩击穿 | 第21页 |
| 2.1.2 二次击穿 | 第21-22页 |
| 2.1.3 氧化层击穿 | 第22页 |
| 2.1.4 电迁移 | 第22-23页 |
| 2.2 强电磁脉冲的作用途径和物理基础 | 第23-24页 |
| 2.2.1 强电磁脉冲作用途径 | 第23页 |
| 2.2.2 电子设备受干扰的物理基础 | 第23-24页 |
| 2.3 常见半导体器件失效机理分析 | 第24-26页 |
| 2.3.1 金属氧化物半导体 | 第24页 |
| 2.3.2 结型半导体 | 第24-25页 |
| 2.3.3 膜电阻器 | 第25页 |
| 2.3.4 压电晶体器件 | 第25页 |
| 2.3.5 金属化条 | 第25-26页 |
| 2.4 微电子器件热分析 | 第26-27页 |
| 2.4.1 等效热路 | 第26-27页 |
| 2.4.2 热传导方程 | 第27页 |
| 2.5 器件的热效应模型 | 第27-29页 |
| 2.5.1 器件单脉冲注入情况 | 第27-28页 |
| 2.5.2 重复脉冲情况 | 第28-29页 |
| 2.6 电磁脉冲和高功率微波的防护措施 | 第29-30页 |
| 2.7 本章总结 | 第30-31页 |
| 第三章 MOSFET的静态特性分析 | 第31-41页 |
| 3.1 仿真软件介绍 | 第31-33页 |
| 3.1.1 工艺仿真 | 第32页 |
| 3.1.2 器件结构仿真 | 第32页 |
| 3.1.3 器件仿真工具 | 第32-33页 |
| 3.1.4 设计流程 | 第33页 |
| 3.2 仿真模型选取 | 第33-38页 |
| 3.2.1 载流子的传输模型 | 第33-34页 |
| 3.2.2 量子效应模型 | 第34-35页 |
| 3.2.3 带隙和电子亲和能模型 | 第35-36页 |
| 3.2.4 产生-复合模型 | 第36-37页 |
| 3.2.5 迁移率模型 | 第37-38页 |
| 3.3 器件模型 | 第38-40页 |
| 3.3.1 器件结构 | 第38-40页 |
| 3.4 本章总结 | 第40-41页 |
| 第四章 EMP作用下器件响应 | 第41-55页 |
| 4.1 器件在EMP作用下二维电热仿真 | 第41-48页 |
| 4.1.1 电场强度变化情况 | 第42-43页 |
| 4.1.2 电流密度变化情况 | 第43-45页 |
| 4.1.3 温度随时间变化情况 | 第45-47页 |
| 4.1.4 器件内部功率和时间的关系 | 第47-48页 |
| 4.2 MOS器件在EMP作用下的损伤能量 | 第48-51页 |
| 4.2.1 烧毁时间和注入电压关系 | 第48页 |
| 4.2.2 损伤能量和注入电压关系 | 第48-51页 |
| 4.3 外接电阻对烧毁时间的影响 | 第51-54页 |
| 4.3.1 器件烧毁时间和源极外接电阻关系图 | 第51-54页 |
| 4.4 本章总结 | 第54-55页 |
| 第五章 HPM作用下器件响应 | 第55-67页 |
| 5.1 器件在HPM作用下二维电热仿真 | 第56-59页 |
| 5.2 器件在HPM作用下输出特性研究 | 第59-66页 |
| 5.2.1 电压变化对烧毁时间的影响 | 第59-63页 |
| 5.2.2 烧毁时间和能量的关系 | 第63-65页 |
| 5.2.3 烧毁时间和脉冲频率的关系 | 第65-66页 |
| 5.3 本章总结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
