| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-41页 |
| 1.1 有机场效应晶体管存储器概述 | 第9-14页 |
| 1.1.1 发展简介 | 第9-11页 |
| 1.1.2 主要制备材料 | 第11-14页 |
| 1.2 有机场效应晶体管存储器的器件结构和工作原理 | 第14-23页 |
| 1.2.1 基于有机铁电材料的有机场效应晶体管存储器 | 第15-17页 |
| 1.2.2 基于浮栅结构的的有机场效应晶体管存储器 | 第17-19页 |
| 1.2.3 基于聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器 | 第19-23页 |
| 1.3 有机场效应晶体管存储器的评价参数 | 第23-27页 |
| 1.4 有机场效应晶体管存储器的挑战 | 第27-28页 |
| 1.5 基于光调控的有机场效应晶体管存储器 | 第28-39页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第28-29页 |
| 1.5.2 工作原理 | 第29-31页 |
| 1.5.3 光响应的评价参数 | 第31页 |
| 1.5.4 国内外研究现状及挑战 | 第31-35页 |
| 1.5.5 应用前景 | 第35-39页 |
| 1.6 本论文的研究思路 | 第39-41页 |
| 第二章 连续型高分子驻极体的厚度与表层隧穿效应 | 第41-57页 |
| 2.1 研究背景 | 第41-42页 |
| 2.2 实验部分 | 第42-44页 |
| 2.2.1 材料与器件制备 | 第42-43页 |
| 2.2.2 表征与测试 | 第43-44页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第44-56页 |
| 2.3.1 厚度对驻极体形貌和浸润性的影响 | 第44-45页 |
| 2.3.2 驻极体厚度对场效应特性的影响 | 第45-47页 |
| 2.3.3 驻极体厚度对可光复位的存储特性的影响 | 第47-51页 |
| 2.3.4 超薄驻极体薄膜中的表层隧穿效应 | 第51-56页 |
| 2.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第三章 纳米孔掺杂提高连续型高分子驻极体电存储性能 | 第57-77页 |
| 3.1 研究背景 | 第57-58页 |
| 3.2 实验部分 | 第58-59页 |
| 3.2.1 材料与器件制备 | 第58-59页 |
| 3.2.2 表征与测试 | 第59页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第59-76页 |
| 3.3.1 多孔薄膜的孔径形态特征 | 第59-63页 |
| 3.3.2 多孔模板诱导生长的核心层结构 | 第63-66页 |
| 3.3.3 多孔结构对存储性能的影响 | 第66-69页 |
| 3.3.4 多孔结构对光响应性能的影响 | 第69-73页 |
| 3.3.5 多孔结构光敏存储器的工作机制及物理模型 | 第73-76页 |
| 3.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第四章 基于聚合物链相变的场效应晶体管存储器 | 第77-96页 |
| 4.1 研究背景 | 第77-78页 |
| 4.2 实验部分 | 第78-79页 |
| 4.2.1 材料与器件制备 | 第78-79页 |
| 4.2.2 表征与测试 | 第79页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第79-95页 |
| 4.3.1 含有β相的驻极体薄膜的光谱和形貌表征 | 第79-83页 |
| 4.3.2 β相结构对可光复位的存储性能的影响 | 第83-90页 |
| 4.3.3 β相结构的含量效应 | 第90-93页 |
| 4.3.4 β相驻极体的工作机制及物理模型 | 第93-95页 |
| 4.4 本章小结 | 第95-96页 |
| 第五章 基于光调控的电流崩塌现象及其光探测存储器 | 第96-113页 |
| 5.1 研究背景 | 第96-97页 |
| 5.2 实验部分 | 第97页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第97-112页 |
| 5.3.1 光照下的转移特性曲线及光电导效应 | 第97-99页 |
| 5.3.2 光照下的输出特性曲线及电流崩塌现象 | 第99-103页 |
| 5.3.3 光致电流崩塌现象的材料适应性研究 | 第103-107页 |
| 5.3.4 光致电流崩塌现象的物理机制探讨 | 第107-112页 |
| 5.4 本章小结 | 第112-113页 |
| 第六章 基于互补交叠光敏层的光电双模多阶存储及信息加密 | 第113-128页 |
| 6.1 研究背景 | 第113-114页 |
| 6.2 实验部分 | 第114-116页 |
| 6.2.1 材料与器件制备 | 第114-115页 |
| 6.2.2 表征与测试 | 第115-116页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第116-127页 |
| 6.3.1 F8BT薄膜的形貌和光谱特性 | 第116-118页 |
| 6.3.2 存储性能及光响应性能 | 第118-122页 |
| 6.3.3 基于可见光复位的多阶电存储器及其信息编码 | 第122-124页 |
| 6.3.4 光电双通道信息加密机制的构建 | 第124-125页 |
| 6.3.5 基于三基色光的信息加密机制的构建 | 第125-127页 |
| 6.4 本章小结 | 第127-128页 |
| 第七章 总结与展望 | 第128-131页 |
| 7.1.1 论文总结 | 第128-129页 |
| 7.1.2 挑战与展望 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-142页 |
| 附录1 攻读博士学位期间撰写的论文 | 第142-146页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请的专利 | 第146-147页 |
| 附录3 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第147-148页 |
| 致谢 | 第148页 |
