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GaN HEMT功率器件的非线性行为模型建模方法研究

摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第12-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-22页
    1.1 课题研究的目的和意义第16-18页
    1.2 发展现状和趋势第18-21页
        1.2.1 小信号建模研究现状第18-19页
        1.2.2 大信号建模研究现状第19-21页
    1.3 论文主要内容简介第21-22页
第二章 GaNHEMT器件小信号建模第22-42页
    2.1 GaNHEMT器件小信号等效电路模型的建立第22-26页
        2.1.1 二端口网络参数第23-26页
        2.1.2 S参数的测试第26页
    2.2 寄生参数的提取第26-34页
        2.2.1 寄生电容提取第27-31页
        2.2.2 寄生电感提取第31-33页
        2.2.3 寄生电阻提取第33-34页
    2.3 本征参数的提取第34-37页
    2.4 S参数的仿真及拟合第37-40页
        2.4.1 模型的仿真第37-38页
        2.4.2 模型验证第38-40页
    2.5 本章小结第40-42页
第三章 X参数行为模型及参数提取第42-60页
    3.1 X参数简介第42页
    3.2 X参数的基本概念第42-48页
        3.2.1 非线性行为和非线性频谱映射第43-46页
        3.2.2 函数的时不变性及相关特性第46-48页
    3.3 X参数行为模型第48-55页
        3.3.1 X参数的定义第48-51页
        3.3.2 小信号扰动下的非线性频谱映射线性化第51-54页
        3.3.3 X参数项的物理意义第54-55页
    3.4 X参数的生成第55-59页
    3.5 本章小结第59-60页
第四章 基于神经网络的X参数建模第60-78页
    4.1 神经网络模型第60-65页
        4.1.1 人工神经元模型第60-62页
        4.1.2 BP神经网络模型第62-65页
    4.2 微波器件神经网络建模第65-74页
        4.2.1 BP神经网络模型的建立第65-67页
        4.2.2 MATLAB神经网络工具箱第67页
        4.2.3 基于BP网络的X参数建模及仿真第67-74页
    4.3 模型验证第74-76页
    4.4 本章小结第76-78页
第五章 总结与展望第78-80页
    5.1 总结第78-79页
    5.2 展望第79-80页
参考文献第80-84页
致谢第84-86页
作者简介第86-87页

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