| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 有机场效应晶体管探测器 | 第12-13页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管探测器的器件结构 | 第12页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管探测器的工作原理 | 第12-13页 |
| 1.3 有机场效应晶体管存储器 | 第13-17页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管存储器的器件结构 | 第13-14页 |
| 1.3.2 有机场效应晶体管存储器的工作原理 | 第14-15页 |
| 1.3.3 有机场效应晶体管存储器的主要性能参数 | 第15-17页 |
| 1.4 基于有机场效应晶体管的紫外光电探测研究进展 | 第17-20页 |
| 1.4.1 紫外探测研究进展 | 第17-19页 |
| 1.4.2 光存储研究进展 | 第19-20页 |
| 1.5 本论文的研究意义和主要工作 | 第20-21页 |
| 1.5.1 本论文的研究意义 | 第20-21页 |
| 1.5.2 本论文的主要工作 | 第21页 |
| 1.6 本章小结 | 第21-22页 |
| 第2章 实验设备、实验流程和器件测试 | 第22-31页 |
| 2.1 实验手段 | 第22-26页 |
| 2.1.1 热蒸发真空镀膜仪 | 第22-23页 |
| 2.1.2 磁控溅射镀膜仪 | 第23页 |
| 2.1.3 低温探针台 | 第23-24页 |
| 2.1.4 半导体参数分析仪 | 第24页 |
| 2.1.5 原子力显微镜 | 第24-25页 |
| 2.1.6 固定角光谱椭偏仪 | 第25页 |
| 2.1.7 紫外可见分光光度计 | 第25-26页 |
| 2.2 实验材料 | 第26-27页 |
| 2.3 实验流程 | 第27-29页 |
| 2.3.1 硅片的切割与清洗 | 第27-28页 |
| 2.3.2 驻极体聚合物薄膜的制备 | 第28页 |
| 2.3.3 有机半导体薄膜的制备 | 第28页 |
| 2.3.4 铜电极的制备 | 第28-29页 |
| 2.4 有机场效应晶体管的光电性能测试 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 基于有机场效应晶体管的日盲紫外探测研究 | 第31-55页 |
| 3.1 日盲紫外探测研究背景 | 第31-35页 |
| 3.1.1 背景介绍 | 第31-32页 |
| 3.1.2 基于并五苯的非易失性存储器结构 | 第32-33页 |
| 3.1.3 基于并五苯的非易失性存储器器件行为特征 | 第33-34页 |
| 3.1.4 基于并五苯的非易失性存储器能带示意图 | 第34-35页 |
| 3.2 P型有机场效应晶体管器件制备及行为 | 第35-38页 |
| 3.2.1 P型有机场效应晶体管器件制备 | 第35-36页 |
| 3.2.2 P型有机场效应晶体管探测行为特征 | 第36-37页 |
| 3.2.3 P型有机场效应晶体管存储器行为特征 | 第37-38页 |
| 3.3 N型有机场效应晶体管器件制备及行为 | 第38-41页 |
| 3.3.1 N型有机场效应晶体管器件制备 | 第38-39页 |
| 3.3.2 N型有机场效应晶体管探测行为特征 | 第39-40页 |
| 3.3.3 N型有机场效应晶体管存储器行为特征 | 第40-41页 |
| 3.4 选择性日盲紫外探测机制 | 第41-46页 |
| 3.4.1 高栅极电压下器件行为特征 | 第41-42页 |
| 3.4.2 存储层厚度依赖性 | 第42页 |
| 3.4.3 紫外可见吸收光谱 | 第42-43页 |
| 3.4.4 存储层依赖性 | 第43-44页 |
| 3.4.5 能带示意图 | 第44-45页 |
| 3.4.6 光照强度与阈值电压的关系 | 第45-46页 |
| 3.5 柔性日盲紫外光探测器 | 第46-52页 |
| 3.5.1 研究背景 | 第46-49页 |
| 3.5.2 柔性日盲紫外光探测器器件制备 | 第49-50页 |
| 3.5.3 P型柔性有机场效应晶体管探测行为特征 | 第50-51页 |
| 3.5.4 P型柔性有机场效应晶体管存储行为特征 | 第51-52页 |
| 3.6 紫外辐射剂量计应用 | 第52-54页 |
| 3.6.1 研究背景 | 第52-53页 |
| 3.6.2 曝光量与存储电荷的关系 | 第53-54页 |
| 3.7 本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 基于有机场效应晶体管的多值存储研究 | 第55-64页 |
| 4.1 多值存储研究背景 | 第55-59页 |
| 4.2 P型有机场效应晶体管器件行为 | 第59-63页 |
| 4.2.1 多值存储器转移特性曲线 | 第59-61页 |
| 4.2.2 多值存储器存储行为特征 | 第61-62页 |
| 4.2.3 多值存储器状态切换 | 第62-63页 |
| 4.3 P型有机场效应晶体管的多值存储机制 | 第63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 全文总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-75页 |
| 攻读硕士学位期间本人发表的论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |