基于40nmCMOS工艺的高性能抗SET锁相环研究与设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第16-18页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第19-20页 |
| 1.4 文章结构 | 第20-22页 |
| 第二章 抗辐照锁相环工作原理 | 第22-42页 |
| 2.1 锁相环工作原理 | 第22-24页 |
| 2.2 电荷泵锁相环 | 第24-38页 |
| 2.2.1 环路稳定性分析 | 第26-29页 |
| 2.2.2 相位噪声分析 | 第29-34页 |
| 2.2.3 抖动分析 | 第34页 |
| 2.2.4 环路参数确定 | 第34-38页 |
| 2.3 环路参数对SET的影响 | 第38-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 基于未加固锁相环的激光实验分析 | 第42-50页 |
| 3.1 激光实验过程 | 第42-46页 |
| 3.1.1 实验目的 | 第42页 |
| 3.1.2 实验条件 | 第42-46页 |
| 3.2 敏感性分析 | 第46-48页 |
| 3.2.1 PFD的敏感性分析 | 第46页 |
| 3.2.2 DIV的敏感性分析 | 第46-47页 |
| 3.2.3 VCO的敏感性分析 | 第47-48页 |
| 3.2.4 CP的敏感性分析 | 第48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 抗辐照锁相环实现 | 第50-76页 |
| 4.1 鉴频鉴相器原理及加固 | 第50-57页 |
| 4.1.1 工作原理 | 第50-52页 |
| 4.1.2 抗SET电路的提出 | 第52-55页 |
| 4.1.3 PFD功能仿真验证 | 第55-57页 |
| 4.2 分频器实现与加固 | 第57-62页 |
| 4.2.1 工作原理 | 第57-60页 |
| 4.2.2 DIV的抗SET加固 | 第60页 |
| 4.2.3 DIV的仿真结果 | 第60-62页 |
| 4.3 电荷泵设计与加固 | 第62-70页 |
| 4.3.1 电荷泵非理想因素 | 第62-63页 |
| 4.3.2 常见结构 | 第63-65页 |
| 4.3.3 可编程电荷泵设计实现 | 第65-67页 |
| 4.3.4 电荷泵的加固 | 第67-69页 |
| 4.3.5 电荷泵的仿真 | 第69-70页 |
| 4.4 VCO设计 | 第70-75页 |
| 4.4.1 VCO工作原理 | 第71-72页 |
| 4.4.2 电路实现 | 第72-73页 |
| 4.4.3 仿真结果 | 第73-75页 |
| 4.5 本章小节 | 第75-76页 |
| 第五章 系统仿真验证与版图实现 | 第76-82页 |
| 5.1 系统仿真验证 | 第76-77页 |
| 5.2 版图设计考虑 | 第77-80页 |
| 5.2.1 噪声的考虑 | 第77-79页 |
| 5.2.2 闩锁效应的考虑 | 第79页 |
| 5.2.3 天线效应的考虑 | 第79页 |
| 5.2.4 匹配的考虑 | 第79-80页 |
| 5.3 锁相环版图 | 第80-81页 |
| 5.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 第六章 总结与展望 | 第82-84页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第82页 |
| 6.2 工作展望 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 作者简介 | 第90-91页 |
