| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 符号对照表 | 第16-18页 |
| 缩略语对照表 | 第18-23页 |
| 第一章 绪论 | 第23-35页 |
| 1.1 研究背景与研究意义 | 第23-25页 |
| 1.2 器件发展与研究现状 | 第25-33页 |
| 1.2.1 GaN基增强型器件发展与研究现状 | 第25-30页 |
| 1.2.2 TFET器件发展与研究现状 | 第30-33页 |
| 1.3 本论文主要工作和安排 | 第33-35页 |
| 第二章 GaN基HEMT和TFET器件仿真软件和模型 | 第35-49页 |
| 2.1 Silvaco仿真软件介绍 | 第35-37页 |
| 2.1.1 仿真流程 | 第35-36页 |
| 2.1.2 Atlas仿真器 | 第36-37页 |
| 2.2 器件仿真模型 | 第37-47页 |
| 2.2.1 基本方程 | 第37-39页 |
| 2.2.2 物理效应 | 第39-42页 |
| 2.2.3 物理模型物理模型 | 第42-47页 |
| 2.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第三章 GaN基凹槽沟道增强型器件仿真研究 | 第49-65页 |
| 3.1 GaN基凹槽沟道增强型器件的研究背景 | 第49-50页 |
| 3.2 器件结构、参数和模型设置 | 第50-52页 |
| 3.2.1 器件结构 | 第50-51页 |
| 3.2.2 器件参数和模型设置 | 第51-52页 |
| 3.3 器件工作原理 | 第52-53页 |
| 3.4 器件特性分析和参数优化 | 第53-57页 |
| 3.4.1 凹槽深度变化对器件特性的影响 | 第53-55页 |
| 3.4.2 击穿特性 | 第55-56页 |
| 3.4.3 栅金属功函数变化对器件特性的影响 | 第56-57页 |
| 3.5 半极性面异质结凹槽沟道器件 | 第57-63页 |
| 3.5.1 半极性面异质结界面2DEG浓度 | 第58-62页 |
| 3.5.2 半极性面异质结凹槽沟道器件特性 | 第62-63页 |
| 3.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 半极性面凹槽沟道HEMT器件制备 | 第65-89页 |
| 4.1 半极性面和非极性面沟道HEMT的沟道晶面选择和器件结构设计 | 第65-68页 |
| 4.1.1 沟道晶面的选择 | 第65-68页 |
| 4.1.2 器件结构设计 | 第68页 |
| 4.2 刻蚀损伤修复研究 | 第68-74页 |
| 4.2.1 TMAH湿法腐蚀修复晶格损伤 | 第69-73页 |
| 4.2.2 低功率ICP干法刻蚀修复晶格损伤 | 第73-74页 |
| 4.3 半极性面沟道HEMT的材料结构外延 | 第74-80页 |
| 4.3.1 GaN沟道层外延及其形貌控制 | 第75-78页 |
| 4.3.2 AlGaN势垒层外延及其组分控制 | 第78-80页 |
| 4.4 半极性面沟道HEMT的制作过程和直流特性 | 第80-85页 |
| 4.4.1 半极性面沟道AlGaN/GaN HEMT的制作过程 | 第80-82页 |
| 4.4.2 半极性面沟道AlGaN/GaN HEMT的直流特性 | 第82-85页 |
| 4.5 半极性面沟道HEMT器件的电流崩塌 | 第85-88页 |
| 4.5.1 半极性面沟道和极性沟道HEMT器件的电流崩塌 | 第85-86页 |
| 4.5.2 半极性面沟道HEMT器件的漏延迟特性 | 第86-87页 |
| 4.5.3 半极性面沟道HEMT器件的栅延迟特性 | 第87-88页 |
| 4.6 本章小结 | 第88-89页 |
| 第五章 缓变漏区域的源端沟道InGaN TFET器件研究 | 第89-105页 |
| 5.1 缓变漏区域的源端沟道InGaN TFET器件研究背景 | 第89-90页 |
| 5.2 器件结构和模型参数设置 | 第90-91页 |
| 5.2.1 器件结构 | 第90-91页 |
| 5.2.2 仿真模型 | 第91页 |
| 5.3 仿真结果和讨论 | 第91-103页 |
| 5.3.1 GD-TFET抑制双极电流 | 第91-93页 |
| 5.3.2 SC-GD-TFET提高器件开态特性 | 第93-99页 |
| 5.3.3 极性和非极性面SC-GD-TFET器件特性比较 | 第99-103页 |
| 5.4 本章小结 | 第103-105页 |
| 第六章 高性能栅调制InGaN无掺杂TFET器件研究 | 第105-123页 |
| 6.1 高性能栅调制InGaN无掺杂TFET器件研究背景 | 第105-106页 |
| 6.2 器件结构和模型参数设置 | 第106-108页 |
| 6.2.1 器件结构 | 第106-108页 |
| 6.2.2 基本物理效应和模型 | 第108页 |
| 6.3 Si DL-TFET,InGaN DL-TFET和InGaN GEDL-TFET器件特性比较 | 第108-113页 |
| 6.4 材料和器件参数对器件特性的影响 | 第113-121页 |
| 6.4.1 In组分变化对InGaN DL-TFET和GEDL-TFET器件特性的影响 | 第113-115页 |
| 6.4.2 栅源间距对InGaN DL-TFETs和GEDL-TFETs器件特性的影响 | 第115-116页 |
| 6.4.3 不同栅介质对TFET器件特性的影响 | 第116-117页 |
| 6.4.4 隧穿栅金属功函数对InGaN GEDL-TFET器件特性的影响 | 第117-121页 |
| 6.5 本章小结 | 第121-123页 |
| 第七章 结束语 | 第123-127页 |
| 参考文献 | 第127-139页 |
| 致谢 | 第139-141页 |
| 作者简介 | 第141-143页 |
