| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第15-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-40页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物半导体和金刚石的基本性质 | 第22-28页 |
| 1.1.1 Ⅲ族氮化物半导体的基本性质 | 第22-24页 |
| 1.1.2 GaN基异质结构 | 第24-25页 |
| 1.1.3 金刚石的基本性质 | 第25-26页 |
| 1.1.4 金刚石材料的制备方法简介 | 第26页 |
| 1.1.5 金刚石在场效应晶体管中的应用 | 第26-28页 |
| 1.2 AlInGaN/(Al)GaN异质结构电子输运性质的研究进展 | 第28-30页 |
| 1.2.1 AlInGaN/GaN异质结中合金组分波动散射对电子输运特性的影响 | 第28-29页 |
| 1.2.2 AlInGaN/GaN异质结中合金无序散射对电子输运特性的影响 | 第29-30页 |
| 1.2.3 AlInGaN/AlGaN异质结构的电子输运性质 | 第30页 |
| 1.3 氢终端金刚石结构空穴输运性质的研究进展 | 第30-35页 |
| 1.3.1 氢终端金刚石表面电导的产生机理 | 第30-34页 |
| 1.3.2 氢终端金刚石结构中空穴输运研究 | 第34页 |
| 1.3.3 双栅介质氢终端金刚石结构中空穴输运特性 | 第34-35页 |
| 1.4 Ⅲ-N体材料中高场输运性质的研究进展 | 第35-37页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第37-40页 |
| 第二章 AlInGaN/(Al)GaN异质结构和氢终端金刚石结构中载流子输运模型 | 第40-56页 |
| 2.1 AlInGaN/(Al)GaN异质结理论 | 第40-43页 |
| 2.1.1 AInGaN/(Al)GaN极化基本理论 | 第40-41页 |
| 2.1.2 AlInGaN/(Al)GaN2DEG面密度解析模型 | 第41-43页 |
| 2.2 AlInGaN/(Al)GaN异质结电子输运模型 | 第43-48页 |
| 2.2.1 2DEG迁移率模型 | 第43-44页 |
| 2.2.2 AlInGaN/(Al)GaN异质结的散射机制 | 第44-46页 |
| 2.2.3 AlInGaN/GaN异质结的合金组分波动散射机制 | 第46-48页 |
| 2.3 氢终端金刚石结构中的空穴输运模型 | 第48-55页 |
| 2.3.1 表面杂质散射 | 第48-49页 |
| 2.3.2 声学声子散射 | 第49页 |
| 2.3.3 非极性光学声子散射 | 第49-50页 |
| 2.3.4 表面/界面粗糙度散射 | 第50-51页 |
| 2.3.5 其他散射机制 | 第51-55页 |
| 2.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第三章 AlInGaN/(Al)GaN异质结中2DEG的输运特性研究 | 第56-76页 |
| 3.1 AlInGaN/GaN异质结中合金无序散射对2DEG迁移率的影响 | 第56-62页 |
| 3.1.1 固定Al(In,Ga)N势垒层厚度下的合金无序散射 | 第56-59页 |
| 3.1.2 固定2DEG浓度下的合金无序散射 | 第59-60页 |
| 3.1.3 Al(In,Ga)N/GaN异质结中合金无序散射的验证 | 第60-62页 |
| 3.2 AlInGaN/GaN异质结中合金组分波动散射对2DEG迁移率的影响 | 第62-68页 |
| 3.2.1 合金组分波动的作用 | 第63-65页 |
| 3.2.2 合金组分波动散射的机理分析 | 第65-67页 |
| 3.2.3 合金组分波动幅度对2DEG迁移率的影响 | 第67-68页 |
| 3.3 AlInGaN/AlGaN异质结的输运特性研究 | 第68-75页 |
| 3.3.1 势垒和沟道层中合金无序散射的作用 | 第68-70页 |
| 3.3.2 近晶格匹配AlInGaN/AlGaN异质结的电子输运相关特性 | 第70-73页 |
| 3.3.3 AlInGaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N异质结中势垒层Al组分的选取规则 | 第73-74页 |
| 3.3.4 变温输运特性 | 第74-75页 |
| 3.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第四章 氢终端金刚石结构中2DHG的输运性质研究 | 第76-86页 |
| 4.1 氢终端金刚石结构中空穴输运性质研究 | 第76-79页 |
| 4.1.1 参数的拟合 | 第76-77页 |
| 4.1.2 2DHG迁移率与温度的关系 | 第77-78页 |
| 4.1.3 2DHG迁移率与空穴面密度的关系 | 第78-79页 |
| 4.2 双栅介质层氢终端金刚石结构的输运特性研究 | 第79-84页 |
| 4.2.1 双栅介质层氢终端金刚石结构的提出 | 第79-80页 |
| 4.2.2 远程界面粗糙度散射和远程库仑散射 | 第80-81页 |
| 4.2.3 相关物理量的影响 | 第81-84页 |
| 4.3 本章小结 | 第84-86页 |
| 第五章 Ⅲ-N体材料中高场输运性质的研究 | 第86-104页 |
| 5.1 引言 | 第86-87页 |
| 5.2 Ⅲ-N体材料中热声子效应对能量弛豫的影响 | 第87-95页 |
| 5.2.1 理论模型 | 第87-90页 |
| 5.2.2 热电子的功率耗散 | 第90-92页 |
| 5.2.3 热声子效应对能量弛豫时间的影响 | 第92-95页 |
| 5.3 Ⅲ-N体材料中热声子效应对动量弛豫的影响 | 第95-102页 |
| 5.3.1 有效LO声子模 | 第95-98页 |
| 5.3.2 热电子的动量弛豫 | 第98-100页 |
| 5.3.3 Ⅲ-N体材料的高场输运性质 | 第100-102页 |
| 5.4 本章小结 | 第102-104页 |
| 第六章 全文总结 | 第104-108页 |
| 6.1 本文的主要结论 | 第104-105页 |
| 6.2 未来的工作 | 第105-108页 |
| 参考文献 | 第108-128页 |
| 致谢 | 第128-130页 |
| 作者简介 | 第130-132页 |
