| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 ZnO纳米结构的性能和制备方法 | 第12-17页 |
| 1.2.1 ZnO纳米结构的性能 | 第12-15页 |
| 1.2.2 ZnO薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.3 ZnO纳米结构材料的表界面调控及其研究现状 | 第17-23页 |
| 1.3.1 表面态对肖特基势垒的影响 | 第17-18页 |
| 1.3.2 掺杂、退火对表面态的影响及调控 | 第18-20页 |
| 1.3.3 气体吸附对表面态的影响及其调控 | 第20-23页 |
| 1.4 界面电场对表界面的影响及调控 | 第23-24页 |
| 1.5 液体离子对表界面的影响及调控 | 第24-25页 |
| 1.6 摩擦发电机及空气放电 | 第25-28页 |
| 1.6.1 摩擦纳米发电机 | 第25-26页 |
| 1.6.2 空气放电 | 第26-27页 |
| 1.6.3 摩擦纳米发电机的尖端放电 | 第27-28页 |
| 1.7 目前存在的主要问题 | 第28-29页 |
| 1.8 本论文的选题意义和目的 | 第29页 |
| 1.9 本论文的主要研究内容 | 第29-32页 |
| 第二章 基于TENG的气体离子栅调控技术及ZnO薄膜的电阻开关特性 | 第32-54页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 ZnO薄膜的制备和表征 | 第32-36页 |
| 2.2.1 ZnO薄膜的制备 | 第32-34页 |
| 2.2.2 ZnO薄膜的表征 | 第34-36页 |
| 2.3 气体离子对ZnO薄膜电学传输特性的调控 | 第36-38页 |
| 2.3.1 基于静电枪的气体离子调控 | 第36-37页 |
| 2.3.2 基于高压脉冲电源的气体离子调控 | 第37-38页 |
| 2.4 基于TENG的气体离子栅调控技术及调控原理 | 第38-47页 |
| 2.4.1 基于TENG的气体离子栅调控技术 | 第39页 |
| 2.4.2 正、负气体离子栅对ZnO薄膜电学传输特性的调控 | 第39-40页 |
| 2.4.3 不同放电次数下气体离子栅对ZnO薄膜电学传输特性的调控 | 第40-42页 |
| 2.4.4 气体离子栅调控原理探究 | 第42-44页 |
| 2.4.5 不同气氛下的气体离子栅调控特性及离子种类探究 | 第44-47页 |
| 2.5 气体离子栅调控下ZnO薄膜的电阻开关特性 | 第47-52页 |
| 2.5.1 正、负气体离子栅对ZnO薄膜电导的调控 | 第47-48页 |
| 2.5.2 正、负气体离子栅调控下ZnO薄膜的电阻开关存储器 | 第48-50页 |
| 2.5.3 温度对电阻开关特性的影响 | 第50-52页 |
| 2.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第三章 气体离子栅和紫外光协同调控下ZnO薄膜的多级电阻开关特性 | 第54-66页 |
| 3.1 引言 | 第54页 |
| 3.2 负极性气体离子栅与UV协同调控下的电阻开关特性 | 第54-59页 |
| 3.2.1 ZnO薄膜的光电流特性 | 第54-55页 |
| 3.2.2 ZnO薄膜的光开关特性 | 第55-56页 |
| 3.2.3 负极性气体离子栅与UV协同调控下的开关特性 | 第56-58页 |
| 3.2.4 UV持续光照下,负极性气体离子栅的调控特性 | 第58-59页 |
| 3.3 气体离子栅与UV协同调控下的多级电阻开关特性 | 第59-65页 |
| 3.3.1 气体离子栅和UV协同调控下的电学特性 | 第59-62页 |
| 3.3.2 UV持续光照下,气体离子栅的调控特性 | 第62-63页 |
| 3.3.3 UV和正、负气体离子栅三重调控下电阻开关特性 | 第63-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 4.1 总结 | 第66页 |
| 4.2 展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表和完成的工作 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
