| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-30页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第18-19页 |
| 1.2 SiC辐照效应的研究现状与存在的问题 | 第19-27页 |
| 1.2.1 SiC材料辐照效应的研究现状 | 第19-23页 |
| 1.2.2 SiC器件辐照效应的研究现状 | 第23-27页 |
| 1.2.3 存在的问题 | 第27页 |
| 1.3 本文的研究内容及安排 | 第27-30页 |
| 第二章 辐照损伤机理及SiC MOS结构的SRIM仿真 | 第30-42页 |
| 2.1 辐照损伤机理 | 第30-34页 |
| 2.1.1 辐射环境 | 第30-31页 |
| 2.1.2 基本损伤机理 | 第31-34页 |
| 2.1.3 MOS型器件辐照损伤效应 | 第34页 |
| 2.2 质子辐照4H-SiC MOS电容的SRIM仿真 | 第34-41页 |
| 2.2.1 仿真参数 | 第35-36页 |
| 2.2.2 仿真结果 | 第36-41页 |
| 2.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 4H-SiC MOS电容的质子辐照效应研究 | 第42-62页 |
| 3.1 实验器件与实验条件 | 第42-47页 |
| 3.1.1 实验器件 | 第42-45页 |
| 3.1.2 实验内容 | 第45-47页 |
| 3.2 湿氧生长的4H-SiC MOS电容的质子辐照效应 | 第47-52页 |
| 3.2.1 质子辐照对4H-SiC MOS电容的C-V特性的影响 | 第47-51页 |
| 3.2.2 质子辐照对I-V特性的影响 | 第51页 |
| 3.2.3 质子辐照4H-SiC MOS电容后的退火特性 | 第51-52页 |
| 3.3 湿氧生长且在NO中退火的4H-SiC MOS电容的质子辐照效应 | 第52-59页 |
| 3.3.1 质子辐照对4H-SiC MOS电容的C-V特性的影响 | 第52-54页 |
| 3.3.2 质子辐照对4H-SiC MOS电容的变频C-V特性的影响 | 第54页 |
| 3.3.3 质子辐照对4H-SiC MOS电容的电压应力可靠性的影响 | 第54-56页 |
| 3.3.4 质子辐照对4H-SiC MOS电容的I-V特性的影响 | 第56-57页 |
| 3.3.5 质子辐照后4H-SiC MOS电容的退火特性与变温特性 | 第57-59页 |
| 3.4 NO退火时间对质子辐照效应的影响 | 第59-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 4H-SiC SBD的质子辐照效应研究 | 第62-76页 |
| 4.1 实验器件及条件 | 第62-64页 |
| 4.2 4H-SiC SBD器件的质子辐照性能退化 | 第64-73页 |
| 4.2.1 C-V特性 | 第64-68页 |
| 4.2.2 正向I-V特性 | 第68-70页 |
| 4.2.3 反向I-V特性 | 第70页 |
| 4.2.4 变温测试 | 第70-72页 |
| 4.2.5 深能级瞬态谱(DLTS)测试 | 第72-73页 |
| 4.3 4H-SiC SBD与MOS的相互关系 | 第73-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-86页 |
| 致谢 | 第86-88页 |
| 作者简介 | 第88-89页 |
