LDMOS中电安全工作区的机理与新结构研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 功率半导体器件简介 | 第9-11页 |
| 1.2 半导体功率器件LDMOS概述 | 第11-16页 |
| 1.2.1 LDMOS的基本结构 | 第11页 |
| 1.2.2 LDMOS优点及应用 | 第11-12页 |
| 1.2.3 LDMOS的发展历史及趋势 | 第12-16页 |
| 1.3 课题研究的意义 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的主要工作和各章节安排 | 第17-18页 |
| 第二章 LDMOS的基本特性 | 第18-31页 |
| 2.1 LDMOS的击穿特性 | 第18-19页 |
| 2.1.1 雪崩击穿 | 第18页 |
| 2.1.2 负阻击穿 | 第18-19页 |
| 2.2 LDMOS的导通特性 | 第19页 |
| 2.3 LDMOS的安全工作区 | 第19-22页 |
| 2.3.1 安全工作区概述 | 第20-21页 |
| 2.3.2 安全工作区的研究发展 | 第21-22页 |
| 2.4 安全工作区的分类 | 第22-25页 |
| 2.4.1 电安全工作区 | 第22-23页 |
| 2.4.2 热安全工作区 | 第23-24页 |
| 2.4.3 热载流子工作区 | 第24-25页 |
| 2.5 现有扩展电安全工作区结构 | 第25-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 具有界面电荷层的LDMOS结构 | 第31-42页 |
| 3.1 界面电荷层LDMOS结构及工作原理 | 第31-33页 |
| 3.2 E-SOA特性研究 | 第33-36页 |
| 3.3 耐压特性研究 | 第36-38页 |
| 3.4 导通特性研究 | 第38页 |
| 3.5 关键参数优化 | 第38-41页 |
| 3.5.1 界面电荷层长度优化 | 第38-40页 |
| 3.5.2 漂移区浓度优化 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 具有埋氧层的槽栅LDMOS结构 | 第42-57页 |
| 4.1 埋氧层槽栅LDMOS结构及工作原理 | 第42-44页 |
| 4.2 E-SOA特性研究 | 第44-48页 |
| 4.3 耐压特性研究 | 第48-49页 |
| 4.4 导通特性研究 | 第49-50页 |
| 4.5 关键参数优化 | 第50-56页 |
| 4.5.1 埋氧层位置优化 | 第50-55页 |
| 4.5.2 漂移区浓度优化 | 第55-56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第63-64页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第64-65页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
