| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-31页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第17-24页 |
| 1.1.1 CMOS集成电路的发展 | 第17-19页 |
| 1.1.2 负电容场效应晶体管的概念 | 第19-20页 |
| 1.1.3 负电容场效应晶体管的研究意义 | 第20-24页 |
| 1.2 Hf_(1-x)Zr_xO_2薄膜及其铁电性 | 第24-26页 |
| 1.3 NCFET器件的研究现状 | 第26-29页 |
| 1.3.1 理论研究 | 第26-27页 |
| 1.3.2 实验研究 | 第27-29页 |
| 1.4 研究目标与内容 | 第29-31页 |
| 1.4.1 研究目标 | 第29页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第29-31页 |
| 第二章 薄膜淀积技术及电学性能测试方法 | 第31-45页 |
| 2.1 原子层淀积(ALD)技术 | 第31-36页 |
| 2.1.1 ALD技术背景 | 第31页 |
| 2.1.2 ALD原理及技术特点 | 第31-33页 |
| 2.1.3 ALD反应源 | 第33页 |
| 2.1.4 ALD工艺窗口 | 第33-34页 |
| 2.1.5 ALD生长模式 | 第34-35页 |
| 2.1.6 ALD工艺的应用 | 第35-36页 |
| 2.2 材料表征方法 | 第36-39页 |
| 2.3 电学性能测试方法 | 第39-45页 |
| 2.3.1 铁电性能的测试 | 第39-40页 |
| 2.3.2 C-V特性测试 | 第40-42页 |
| 2.3.3 I-V特性测试 | 第42-45页 |
| 第三章 HZO材料生长及性能研究 | 第45-59页 |
| 3.1 HZO材料Si基外延生长 | 第45-47页 |
| 3.1.1 PELAD设备简介 | 第45-46页 |
| 3.1.2 ALD淀积薄膜的主要工艺参数 | 第46-47页 |
| 3.2 样品制备 | 第47-48页 |
| 3.2.1 衬底清洗 | 第47页 |
| 3.2.2 薄膜淀积 | 第47-48页 |
| 3.3 材料性能表征 | 第48-50页 |
| 3.4 Hf_(1-x)Zr_xO_2/Si叠栅结构的能带分析 | 第50-57页 |
| 3.4.1 能带分析方法 | 第50-51页 |
| 3.4.2 样品制备 | 第51页 |
| 3.4.3 Zr含量对Hf_(1-x)Zr_xO_2/Si叠栅结构能带的影响 | 第51-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 基于HZO材料的器件电学性能研究 | 第59-77页 |
| 4.1 基于HZO材料的MFM结构性能分析 | 第59-64页 |
| 4.1.1 样品制备 | 第59-60页 |
| 4.1.2 电学性能分析 | 第60-64页 |
| 4.2 基于HZO材料的MFS结构电学性能分析 | 第64-66页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第64页 |
| 4.2.2 电学性能分析 | 第64-66页 |
| 4.3 Si NCFET器件制备的工艺流程 | 第66-69页 |
| 4.4 Si NCFET器件性能分析 | 第69-75页 |
| 4.4.1 器件结构分析 | 第69-70页 |
| 4.4.2 沟道长度为5μm的Si NCFET器件电学性能分析 | 第70-72页 |
| 4.4.3 不同沟道长度的Si NCFET器件电学性能分析 | 第72-75页 |
| 4.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 作者简介 | 第89-90页 |
