| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 GaN材料和AlGaN/GaN HEMT器件的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.1.1 GaN材料的优势及其发展 | 第16-18页 |
| 1.1.2 AlGaN/GaN HEMT器件的研究进展 | 第18页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT器件的可靠性问题及其研究现状 | 第18-23页 |
| 1.2.1 AlGaN/GaN HEMT器件的可靠性问题 | 第18-22页 |
| 1.2.2 自热效应,热存储和电热耦合效应的国内外研究现状 | 第22-23页 |
| 1.3 本文的主要内容和安排 | 第23-26页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件自热效应仿真研究 | 第26-44页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理 | 第26-31页 |
| 2.1.1 GaN材料的晶格结构 | 第26页 |
| 2.1.2 极化效应 | 第26-29页 |
| 2.1.3 二维电子气 | 第29-30页 |
| 2.1.4 HEMT器件的基本结构 | 第30-31页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件模型 | 第31-35页 |
| 2.3 自热效应仿真 | 第35-42页 |
| 2.3.1 自热效应对直流特性的影响 | 第35-36页 |
| 2.3.2 自热效应对交流特性的影响 | 第36-37页 |
| 2.3.3 不同衬底材料对自热效应的影响 | 第37-38页 |
| 2.3.4 倒装结构的仿真 | 第38-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT器件热存储可靠性研究 | 第44-56页 |
| 3.1 实验设置 | 第44-45页 |
| 3.2 热存储对器件栅电容的影响 | 第45-46页 |
| 3.3 热存储对器件直流特性的影响 | 第46-51页 |
| 3.3.1 输出特性的变化 | 第46-48页 |
| 3.3.2 转移特性和跨导的变化 | 第48-50页 |
| 3.3.3 栅泄漏电流的变化 | 第50-51页 |
| 3.4 热存储对器件交流特性的影响 | 第51-55页 |
| 3.4.1 栅延迟特性的变化 | 第51-52页 |
| 3.4.2 电流崩塌特性的变化 | 第52-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件电热耦合退化特性研究 | 第56-70页 |
| 4.1 AlGaN/GaN HEMT器件的变温特性 | 第56-59页 |
| 4.2 AlGaN/GaN HEMT器件电热耦合实验研究 | 第59-66页 |
| 4.2.1 开态应力下AlGaN/GaN HEMT器件电热耦合实验研究 | 第59-61页 |
| 4.2.2 关态应力下AlGaN/GaN HEMT器件电热耦合实验研究 | 第61-63页 |
| 4.2.3 电热耦合实验的恢复特性 | 第63-64页 |
| 4.2.4 退化机制分析 | 第64-66页 |
| 4.3 AlGaN/GaN HEMT的寿命模型 | 第66-68页 |
| 4.3.1 加速寿命实验理论基础 | 第66-67页 |
| 4.3.2 加速寿命实验结果 | 第67-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 作者简介 | 第80-81页 |
