| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 晶体管非线性建模研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-19页 |
| 1.2.1 GaN HEMT建模技术的国外研究现状 | 第17-18页 |
| 1.2.2 GaN HEMT建模技术的国内研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3 本论文研究的主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 GaN HEMT基本理论和建模方案 | 第21-33页 |
| 2.1 GaN HEMT基本工作理论 | 第21-26页 |
| 2.1.1 GaN HEMT的器件结构 | 第21-22页 |
| 2.1.2 GaN HEMT的器件主要参数 | 第22-24页 |
| 2.1.3 GaN HEMT工作原理分析 | 第24-26页 |
| 2.2 常用的非线性建模方案 | 第26-31页 |
| 2.2.1 非线性I-V模型 | 第26-28页 |
| 2.2.2 非线性C-V模型 | 第28-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 GaN HEMT非线性模型研究 | 第33-55页 |
| 3.1 GaN HEMT非线性模型的分析 | 第33-36页 |
| 3.1.1 GaN HEMT大信号模型概述 | 第33-34页 |
| 3.1.2 自热效应对于GaN HEMT大信号模型的影响 | 第34-36页 |
| 3.2 GaN HEMT器件等效电路拓扑结构和建模流程 | 第36-42页 |
| 3.2.1 GaN HEMT小信号等效电路拓扑结构研究 | 第36-38页 |
| 3.2.2 GaN HEMT大信号等效电路拓扑结构研究 | 第38-40页 |
| 3.2.3 GaN HEMT等效电路模型的建模流程 | 第40-42页 |
| 3.3 GaN HEMT非线性等效电路直流I-V模型 | 第42-47页 |
| 3.3.1 非线性等效电路I-V模型 | 第42-45页 |
| 3.3.2 改进型的非线性I-V模型 | 第45-47页 |
| 3.4 GaN HEMT非线性等效电路C-V模型 | 第47-54页 |
| 3.4.1 非线性等效电路C-V模型 | 第47-51页 |
| 3.4.2 改进型的非线性C-V模型 | 第51-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 微波功率放大器设计 | 第55-77页 |
| 4.1 功率放大器的基本理论 | 第55-63页 |
| 4.1.1 功率放大器的重要性 | 第55页 |
| 4.1.2 功率放大器的工作原理 | 第55-56页 |
| 4.1.3 功率放大器的分类 | 第56-60页 |
| 4.1.4 功率放大器的基本指标 | 第60-63页 |
| 4.2 功率放大器的ADS仿真 | 第63-70页 |
| 4.2.1 晶体管直流分析 | 第64-65页 |
| 4.2.2 晶体管稳定性分析 | 第65-66页 |
| 4.2.3 负载牵引和源牵引分析 | 第66-69页 |
| 4.2.4 输入输出匹配网络设计 | 第69-70页 |
| 4.3 功率放大器的设计 | 第70-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 总结与展望 | 第77-81页 |
| 5.1 总结 | 第77-78页 |
| 5.2 展望 | 第78-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87-88页 |
