| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第16-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-43页 |
| 1.1 CMOS技术的现状及未来发展趋势 | 第21-29页 |
| 1.1.1 等比例缩小对传统MOSFET器件带来的挑战 | 第22-24页 |
| 1.1.2 继续摩尔定律的几种有效途径 | 第24-29页 |
| 1.2 无结器件的工作原理及研究现状 | 第29-39页 |
| 1.2.1 无结器件的基本结构及工作机理 | 第30-31页 |
| 1.2.2 无结器件的主要研究进展 | 第31-39页 |
| 1.3 本论文的主要工作及内容安排 | 第39-43页 |
| 第二章 无结MOSFET器件的模型和仿真理论基础 | 第43-65页 |
| 2.1 无结双栅MOSFET的长沟道漏电流模型 | 第43-49页 |
| 2.1.1 表面势模型 | 第43-46页 |
| 2.1.2 漏电流模型 | 第46-49页 |
| 2.2 无结双栅MOSFET的准二维短沟道阈值电压模型 | 第49-54页 |
| 2.3 无结围栅MOSFET的短沟道亚阈值特性模型 | 第54-58页 |
| 2.3.1 全二维静电势模型 | 第55-57页 |
| 2.3.2 亚阈值电流模型 | 第57-58页 |
| 2.4 考虑源漏耗尽影响的无结MOSFET器件的解析模型 | 第58-61页 |
| 2.5 仿真工具TCAD介绍 | 第61-62页 |
| 2.5.1 器件结构编辑模块 | 第62页 |
| 2.5.2 电学特性仿真模块 | 第62页 |
| 2.6 本章小结 | 第62-65页 |
| 第三章 无结异质双栅MOSFET器件研究 | 第65-95页 |
| 3.1 无结异质双栅MOSFET的提出 | 第65-66页 |
| 3.2 无结异质双栅MOSFET短沟道亚阈值电流解析模型 | 第66-79页 |
| 3.2.1 沟道二维电势模型 | 第66-70页 |
| 3.2.2 亚阈值漏电流模型 | 第70-71页 |
| 3.2.3 模型结果分析和讨论 | 第71-79页 |
| 3.3 无结异质双栅MOSFET短沟道阈值电压解析模型 | 第79-92页 |
| 3.3.1 沟道静电势和电场模型 | 第80-84页 |
| 3.3.2 短沟道阈值电压模型 | 第84-85页 |
| 3.3.3 亚阈值摆幅解析模型 | 第85-86页 |
| 3.3.4 结果分析与讨论 | 第86-92页 |
| 3.4 本章小结 | 第92-95页 |
| 第四章 无结不对称异质双栅MOSFET器件研究 | 第95-115页 |
| 4.1 无结非对称异质双栅MOSFET的提出 | 第95-98页 |
| 4.2 非对称无结异质双栅MOSFET解析模型 | 第98-104页 |
| 4.2.1 沟道二维电势解析模型 | 第98-103页 |
| 4.2.2 阈值电压解析模型 | 第103-104页 |
| 4.2.3 亚阈值电流和亚阈值摆幅模型 | 第104页 |
| 4.3 结果分析和讨论 | 第104-113页 |
| 4.3.1 器件结构和参数设计 | 第104-105页 |
| 4.3.2 模型结果与仿真分析 | 第105-113页 |
| 4.4 本章小结 | 第113-115页 |
| 第五章 异质栅异质栅介质无结隧穿场效应晶体管研究 | 第115-143页 |
| 5.1 传统隧穿场效应晶体管的背景介绍 | 第115-117页 |
| 5.1.1 传统隧穿场效应晶体管的工作机理 | 第115-116页 |
| 5.1.2 隧穿场效应晶体管所面临的挑战 | 第116-117页 |
| 5.2 SP异质栅介质TFET研究 | 第117-130页 |
| 5.2.1 SP异质栅介质TFET的提出 | 第117-118页 |
| 5.2.2 电势和亚阈值电流解析模型 | 第118-122页 |
| 5.2.3 模型结果分析和讨论 | 第122-130页 |
| 5.3 异质栅异质栅介质无结隧穿场效应晶体管研究 | 第130-140页 |
| 5.3.1 无结隧穿场效应晶体管的基本机构及工作原理 | 第130-132页 |
| 5.3.2 无结异质栅异质栅介质隧穿场效应晶体管的提出 | 第132-133页 |
| 5.3.3 结果分析和讨论 | 第133-140页 |
| 5.4 本章小结 | 第140-143页 |
| 第六章 总结与展望 | 第143-145页 |
| 参考文献 | 第145-161页 |
| 致谢 | 第161-163页 |
| 作者简介 | 第163-165页 |
