| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-27页 |
| 1.1 GaN材料简介 | 第19-21页 |
| 1.2 氮化物材料极化特性 | 第21-24页 |
| 1.3 增强型AlGaN/GaN HEMT研究进展 | 第24-25页 |
| 1.4 本文的主要工作安排 | 第25-27页 |
| 第二章 增强型GaN器件基本工作原理 | 第27-37页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结增强型HEMT实现机理 | 第27-28页 |
| 2.2 GaN增强型器件实现方法 | 第28-33页 |
| 2.2.1 槽栅增强型器件 | 第29-30页 |
| 2.2.2 氟离子注入增强型器件 | 第30-31页 |
| 2.2.3 P-GaN栅增强型器件 | 第31-32页 |
| 2.2.4 共源共栅增强型器件 | 第32-33页 |
| 2.2.5 四种增强型器件的优缺点 | 第33页 |
| 2.3 P-GaN栅增强型HEMT研究背景 | 第33-37页 |
| 第三章 GaN沟道p-GaN栅增强型HEMT研究 | 第37-59页 |
| 3.1 P-GaN栅增强型HEMT制备工艺 | 第37-43页 |
| 3.2 P-GaN栅增强型HEMT电学特性研究 | 第43-49页 |
| 3.2.1 P-GaN栅增强型HEMT直流特性 | 第44-46页 |
| 3.2.2 带栅源桥结构器件 | 第46-49页 |
| 3.3 退火后p-GaN栅增强型HEMT特性 | 第49-53页 |
| 3.4 W栅结构p-GaN栅增强型HEMT特性 | 第53-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 AlGaN沟道p-GaN栅增强型HEMT研究 | 第59-71页 |
| 4.1 AlGaN沟道器件简介 | 第59-60页 |
| 4.2 AlGaN沟道p-GaN栅增强型HEMT直流特性 | 第60-64页 |
| 4.3 AlGaN沟道p-GaN栅增强型HEMT击穿及电流崩塌特性 | 第64-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-71页 |
| 第五章 总结和展望 | 第71-73页 |
| 5.1 总结 | 第71-72页 |
| 5.2 展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-83页 |
