| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 常见新型非易失性存储器简介 | 第10-13页 |
| 1.2 纳米浮栅式非易失性存储器(NFG-NVM)的结构及工作原理 | 第13-15页 |
| 1.3 NFG-NVM存储器的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本文研究的NFG-NVM器件结构与材料 | 第17页 |
| 1.5 本文研究的目的、意义和主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 掺镍HfO_2薄膜的制备与微结构表征 | 第19-26页 |
| 2.1 掺镍HfO_2薄膜的制备 | 第19-21页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射制备薄膜原理简介 | 第19-20页 |
| 2.1.2 掺镍HfO_2薄膜制备工艺 | 第20-21页 |
| 2.2 掺镍HfO_2薄膜微结构观测与化学成分分析 | 第21-25页 |
| 2.2.1 掺镍HfO_2薄膜厚度的标定 | 第21-22页 |
| 2.2.2 掺镍HfO_2薄膜的横截面微结构观测与分析 | 第22-23页 |
| 2.2.3 掺镍HfO_2薄膜化学成份分析 | 第23-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 掺镍HfO_2薄膜MOS器件制备和电学性能表征 | 第26-31页 |
| 3.1 掺镍HfO_2薄膜MOS电容器结构的制备 | 第26页 |
| 3.2 掺镍HfO_2薄膜MOS电容器结构的电学性能表征 | 第26-30页 |
| 3.2.1 镍摻杂量对器件电容-电压(C-V)曲线的影响 | 第27-28页 |
| 3.2.2 栅电压对器件电容-电压(C-V)曲线的影响 | 第28-30页 |
| 3.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 光辐照下掺镍HfO_2薄膜MOS电容器结构的电荷存储特性 | 第31-39页 |
| 4.1 光辐照下掺镍HfO_2薄膜C-V特性曲线的测量与分析 | 第32-33页 |
| 4.2 掺镍HfO_2薄膜在不同光辐照条件下的C-V特性分析 | 第33-34页 |
| 4.3 光辐照下掺镍HfO_2薄膜电荷存储耐受性和电荷存储时效性 | 第34-36页 |
| 4.4 光辐照下掺镍HfO_2薄膜电荷存储机制 | 第36-38页 |
| 4.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第五章 磁场下掺镍HfO_2薄膜的电荷存储特性 | 第39-43页 |
| 5.1 掺镍HfO_2薄膜可加磁场测试样品的制备 | 第39-40页 |
| 5.2 掺镍HfO_2薄膜样品磁化曲线的测量 | 第40页 |
| 5.3 磁场对掺镍HfO_2薄膜电容-电压曲线的影响 | 第40-42页 |
| 5.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第六章 结论与展望 | 第43-45页 |
| 6.1 主要研究内容与结论 | 第43-44页 |
| 6.2 未来研究计划与展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-54页 |
| 硕士期间发表论文与参加学术活动 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
