| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 功率半导体器件研究的意义与背景 | 第16-17页 |
| 1.2 横向功率器件技术概述 | 第17-18页 |
| 1.3 LDMOS横向优化技术 | 第18-25页 |
| 1.3.1 结终端技术简介 | 第18-20页 |
| 1.3.2 RESURF技术 | 第20-22页 |
| 1.3.3 横向变掺杂技术 | 第22页 |
| 1.3.4 电场调制技术 | 第22-24页 |
| 1.3.5 导通电阻优化 | 第24-25页 |
| 1.3.6 LDMOS横向优化技术小结 | 第25页 |
| 1.4 仿真软件介绍 | 第25-26页 |
| 1.5 本论文的内容及工作安排 | 第26-28页 |
| 第二章 横向功率器件纵向电场调制技术 | 第28-36页 |
| 2.1 横向功率器件纵向电场优化思想 | 第28-30页 |
| 2.1.1 横向功率器件耐压特性 | 第28-29页 |
| 2.1.2 纵向电场优化技术 | 第29-30页 |
| 2.2 横向功率器件体内场优化技术 | 第30-33页 |
| 2.2.1 P型埋层体内场优化 | 第30-31页 |
| 2.2.2 REBULF技术 | 第31-32页 |
| 2.2.3 介质层电场增强技术 | 第32-33页 |
| 2.3 纵向电场调制理论 | 第33-34页 |
| 2.4 本论文的主要创新工作 | 第34-36页 |
| 第三章 具有纵向辅助耗尽衬底层新型LDMOS | 第36-50页 |
| 3.1 器件结构及原理 | 第36-37页 |
| 3.2 器件机理仿真分析 | 第37-40页 |
| 3.3 器件结构参数优化 | 第40-44页 |
| 3.4 器件工艺制备 | 第44-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 具有纵向电场调制的横向超结功率器件 | 第50-66页 |
| 4.1 横向超结LDMOS | 第50-56页 |
| 4.1.1 超结功率MOS理论 | 第50-51页 |
| 4.1.2 横向超结LDMOS发展 | 第51-55页 |
| 4.1.3 横向超结LDMOS耐压特性 | 第55-56页 |
| 4.2 具有衬底辅助耗尽层的SJ-LDMOS新结构 | 第56-64页 |
| 4.2.1 器件结构及原理 | 第57页 |
| 4.2.2 器件机理仿真分析 | 第57-60页 |
| 4.2.3 器件结构参数优化 | 第60-64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 总结 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |