| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第13-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-32页 |
| 1.1 引言 | 第22-24页 |
| 1.2 新型MOSFET结构 | 第24-31页 |
| 1.2.1 DSD SG MOSFET研究现状 | 第24-26页 |
| 1.2.2 SB MOSFET研究现状 | 第26-27页 |
| 1.2.3 SB-SG MOSFET研究现状 | 第27-31页 |
| 1.3 本论文主要工作内容 | 第31-32页 |
| 第二章 SB-SG NMOSFET基本结构和特性分析 | 第32-48页 |
| 2.1 DSD SG NMOSFET结构与特性分析 | 第32-35页 |
| 2.1.1 基本结构与工作原理 | 第32-33页 |
| 2.1.2 特征长度 | 第33-35页 |
| 2.1.3 小尺寸量子化效应 | 第35页 |
| 2.2 SB NMOSFET结构与特性分析 | 第35-42页 |
| 2.2.1 基本结构与工作原理 | 第35-37页 |
| 2.2.2 镜像力势垒降低效应 | 第37-38页 |
| 2.2.3 DIBT效应 | 第38-39页 |
| 2.2.4 小尺寸纵向量子化效应 | 第39-40页 |
| 2.2.5 特征长度 | 第40-42页 |
| 2.3 SB-SG NMOSFET结构与特性分析 | 第42-46页 |
| 2.3.1 基本结构与工作原理 | 第42-43页 |
| 2.3.2 特性分析 | 第43-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 SB-SG NMOSFET阈值电压和DIBT模型 | 第48-66页 |
| 3.1 阈值电压模型建立 | 第48-54页 |
| 3.1.1 表面势 | 第48-50页 |
| 3.1.2 阈值电压 | 第50-54页 |
| 3.2 阈值电压与模型参数关系 | 第54-59页 |
| 3.2.1 阈值电压与沟道长度 | 第55-56页 |
| 3.2.2 阈值电压与电子本征肖特基势垒高度 | 第56-57页 |
| 3.2.3 阈值电压与漏源电压 | 第57页 |
| 3.2.4 阈值电压与沟道半径 | 第57-58页 |
| 3.2.5 阈值电压与沟道掺杂浓度 | 第58-59页 |
| 3.3 DIBT效应模型建立 | 第59-61页 |
| 3.4 DIBT/L效应与模型参数关系 | 第61-65页 |
| 3.4.1 DIBT/L效应与电子本征肖特基势垒高度 | 第61-62页 |
| 3.4.2 DIBT/L效应与沟道长度 | 第62-63页 |
| 3.4.3 DIBT/L效应与漏源电压 | 第63页 |
| 3.4.4 DIBT/L效应与沟道半径 | 第63-64页 |
| 3.4.5 DIBT/L效应与沟道掺杂浓度 | 第64-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 SB-SG NMOSFET漏源电流和跨导模型 | 第66-88页 |
| 4.1 基于电流机制的漏源电流模型 | 第66-68页 |
| 4.2 基于阈值电压的漏源电流模型 | 第68-74页 |
| 4.2.1 基于阈值电压的表面势 | 第68-70页 |
| 4.2.2 表面和中心电势差 | 第70-71页 |
| 4.2.3 归一化反型电荷面密度 | 第71页 |
| 4.2.4 电子迁移率模型 | 第71-72页 |
| 4.2.5 沟道长度调制 | 第72页 |
| 4.2.6 基于阈值电压的漏源电流模型 | 第72-74页 |
| 4.3 漏源电流与模型参数关系 | 第74-79页 |
| 4.3.1 两种漏源电流模型与Sentaurus TCAD仿真结果对比 | 第74-75页 |
| 4.3.2 漏源电流与电子本征肖特基势垒高度 | 第75-76页 |
| 4.3.3 漏源电流与偏置电压 | 第76-77页 |
| 4.3.4 漏源电流与沟道长度 | 第77-78页 |
| 4.3.5 漏源电流与沟道半径 | 第78页 |
| 4.3.6 漏源电流与沟道掺杂浓度 | 第78-79页 |
| 4.4 跨导模型 | 第79-82页 |
| 4.5 跨导与模型参数关系 | 第82-86页 |
| 4.5.1 跨导与电子本征肖特基势垒高度 | 第82-83页 |
| 4.5.2 跨导与栅源电压 | 第83-84页 |
| 4.5.3 跨导与漏源电压 | 第84-85页 |
| 4.5.4 跨导与沟道长度 | 第85页 |
| 4.5.5 跨导与沟道半径 | 第85-86页 |
| 4.5.6 跨导与沟道掺杂浓度 | 第86页 |
| 4.6 本章小结 | 第86-88页 |
| 第五章 SB-SG NMOSFET电容和频率特性模型 | 第88-108页 |
| 5.1 C_(GG)和C_(GD)模型 | 第88-90页 |
| 5.2 C_(GG)和C_(GD)与模型参数关系 | 第90-94页 |
| 5.2.1 C_(gg)和C_(gd)与电子本征肖特基势垒高度 | 第90-91页 |
| 5.2.2 C_(gg)和C_(gd)与栅源电压 | 第91-92页 |
| 5.2.3 C_(gg)和C_(gd)与漏源电压 | 第92页 |
| 5.2.4 C_(gg)和C_(gd)与沟道长度 | 第92-93页 |
| 5.2.5 C_(gg)和C_(gd)与沟道半径 | 第93-94页 |
| 5.2.6 C_(gg)和C_(gd)与沟道掺杂浓度 | 第94页 |
| 5.3 SB-SG NMOSFET与DSD SG NMOSFET栅电容对比 | 第94-98页 |
| 5.4 频率特性模型 | 第98-101页 |
| 5.5 频率与模型参数关系 | 第101-106页 |
| 5.5.1 频率与电子本征肖特基势垒高度 | 第101-102页 |
| 5.5.2 频率与栅源电压 | 第102-103页 |
| 5.5.3 频率与漏源电压 | 第103页 |
| 5.5.4 频率与沟道长度 | 第103-104页 |
| 5.5.5 频率与沟道半径 | 第104-105页 |
| 5.5.6 频率与沟道掺杂浓度 | 第105-106页 |
| 5.6 本章小结 | 第106-108页 |
| 第六章 总结与展望 | 第108-110页 |
| 6.1 论文的主要工作与成果 | 第108-109页 |
| 6.2 对进一步研究工作的考虑 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-124页 |
| 作者简介 | 第124-126页 |
| 1.基本情况 | 第124页 |
| 2.教育背景 | 第124页 |
| 3.攻读博士学位期间的研究成果 | 第124-126页 |
| 3.1 发表学术论文 | 第124-125页 |
| 3.2 参与科研项目及获奖 | 第125-126页 |
