| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-20页 |
| 1.1 GaN基宽禁带半导材料特性 | 第16页 |
| 1.2 GaN基宽禁带半导体功率器件研究与发展现状 | 第16-18页 |
| 1.3 本文主要任务及安排 | 第18-20页 |
| 第二章 垂直型GaN基功率器件结构和原理 | 第20-38页 |
| 2.1 垂直型GaN基功率器件的结构和工作原理 | 第20-25页 |
| 2.1.1 垂直型GaN基功率器件的基本结构和制造工艺 | 第20-24页 |
| 2.1.2 垂直功率器件的基本工作原理 | 第24-25页 |
| 2.2 现有典型垂直型GaN基功率器件 | 第25-28页 |
| 2.2.1 具有SiO_2电流阻挡层的垂直型GaN基功率器件结构 | 第25-26页 |
| 2.2.2 具有极化掺杂电流阻挡层的垂直型GaN基功率器件结构 | 第26-27页 |
| 2.2.3 具有P型埋层结构的垂直型GaN基功率器件结构 | 第27-28页 |
| 2.3 基于超结结构的垂直型GaN基功率器件 | 第28-36页 |
| 2.3.1 仿真模型构建 | 第28-29页 |
| 2.3.2 导通特性 | 第29-32页 |
| 2.3.3 阻断特性 | 第32-33页 |
| 2.3.4 超结制作技术 | 第33-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 高性能正向阻断GaN基功率器件研究 | 第38-56页 |
| 3.1 非均匀掺杂超结GaN基垂直型功率器件研究 | 第38-45页 |
| 3.1.1 器件结构和模型参数 | 第38-39页 |
| 3.1.2 器件的开态特性和关态特性 | 第39-40页 |
| 3.1.3 开态特性和关态特性分析 | 第40-42页 |
| 3.1.4 器件结构的优化设计 | 第42-45页 |
| 3.2 阶梯掺杂超结垂直型GaN基功率器件研究 | 第45-53页 |
| 3.2.1 阶梯掺杂超结垂直型GaN基功率器件的结构 | 第45-46页 |
| 3.2.2 开态和关态特性研究与分析 | 第46-48页 |
| 3.2.3 器件结构优化设计 | 第48-51页 |
| 3.2.4 非理想因素对器件特性影响的研究 | 第51-53页 |
| 3.3 性能比较 | 第53-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 可反向阻断新型垂直型GaN基功率器件研究 | 第56-72页 |
| 4.1 漏连接半超结垂直型GaN基功率器件研究 | 第56-63页 |
| 4.1.1 器件结构 | 第56-57页 |
| 4.1.2 正向导通特性研究 | 第57-59页 |
| 4.1.3 反向阻断特性研究 | 第59-61页 |
| 4.1.4 结构优化设计 | 第61-63页 |
| 4.2 漏连接悬浮超结垂直型GaN基功率器件研究 | 第63-70页 |
| 4.2.1 器件结构和工作机理 | 第63-65页 |
| 4.2.2 正向导通特性研究 | 第65页 |
| 4.2.3 正向和反向阻断特性研究 | 第65-68页 |
| 4.2.4 结构优化设计 | 第68-70页 |
| 4.3 功能对比 | 第70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 5.1 总结 | 第72-73页 |
| 5.2 展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 作者简介 | 第80-82页 |
