| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 金刚石材料简介 | 第17-19页 |
| 1.1.1 金刚石的晶体结构 | 第17-18页 |
| 1.1.2 金刚石的材料特性 | 第18-19页 |
| 1.2 金刚石材料的发展历程 | 第19-20页 |
| 1.3 氢终端金刚石FET研究进展 | 第20-23页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第20-22页 |
| 1.3.2 国内研究现状 | 第22-23页 |
| 1.4 主要研究内容及意义 | 第23-25页 |
| 第二章 金刚石材料制备表征和氢终端FET器件原理简介 | 第25-37页 |
| 2.1 MPCVD法生长金刚石原理 | 第25-27页 |
| 2.1.1 碳的P-T相图 | 第25页 |
| 2.1.2 原子氢的作用 | 第25-26页 |
| 2.1.3 CVD法生长金刚石的原理 | 第26-27页 |
| 2.2 MPCVD原理和设备简介 | 第27-29页 |
| 2.3 金刚石材料的表征方法 | 第29-31页 |
| 2.4 氢终端金刚石的特性 | 第31-34页 |
| 2.4.1 氢终端金刚石的电子亲和势 | 第31-32页 |
| 2.4.2 氢终端金刚石形成导电沟道的机理 | 第32-34页 |
| 2.5 氢终端金刚石器件的工作原理 | 第34-35页 |
| 2.6 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 多晶金刚石材料生长和氢终端FET器件制备 | 第37-45页 |
| 3.1 MPCVD生长多晶金刚石 | 第37-40页 |
| 3.2 MESFETs器件制备流程 | 第40-41页 |
| 3.3 器件版图设计 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 氢终端金刚石MESFETs的制备工艺优化 | 第45-53页 |
| 4.1 氢终端金刚石工艺研究 | 第45-47页 |
| 4.2 金刚石材料质量对器件的影响 | 第47-49页 |
| 4.3 氢终端金刚石与金属接触特性 | 第49-52页 |
| 4.3.1 欧姆接触 | 第49-50页 |
| 4.3.2 肖特基接触 | 第50-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 氢终端金刚石MESFETs的特性分析及优化 | 第53-65页 |
| 5.1 多晶金刚石MESFET器件直流特性 | 第53-58页 |
| 5.2 多晶金刚石MESFET器件小信号频率特性 | 第58-59页 |
| 5.3 多晶金刚石MESFET器件变温特性 | 第59-60页 |
| 5.4 多晶金刚石MESFET器件稳定性研究 | 第60-62页 |
| 5.4.1 MoO_3材料特性 | 第60-61页 |
| 5.4.2 钝化后MESFET器件稳定性研究 | 第61-62页 |
| 5.5 本章小结 | 第62-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 总结 | 第65-66页 |
| 6.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-78页 |