| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 场效应晶体管(FET) | 第13-16页 |
| 1.3 与晶体管相关的黑磷特性 | 第16-24页 |
| 1.3.1 黑磷的制备 | 第16-17页 |
| 1.3.2 黑磷的结构 | 第17-19页 |
| 1.3.3 层数对带隙的影响 | 第19-21页 |
| 1.3.4 应力与带隙的变化关系 | 第21-22页 |
| 1.3.5 黑磷的各向异性 | 第22-24页 |
| 1.4 黑磷FET的研究现状 | 第24-27页 |
| 1.5 柔性电子设备的发展现状 | 第27-28页 |
| 1.6 本论文的研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 基于PET柔性衬底的背栅黑磷场效应晶体管的制备 | 第29-56页 |
| 2.1 PET柔性衬底制备 | 第29-31页 |
| 2.1.1 PET的性质 | 第29-30页 |
| 2.1.2 实验中用到的PET柔性衬底制备 | 第30-31页 |
| 2.2 晶体管栅极的制备 | 第31-39页 |
| 2.2.1 栅极的选取 | 第31-32页 |
| 2.2.2 栅极材料的选取 | 第32-34页 |
| 2.2.3 中频磁控溅射法工作原理 | 第34-37页 |
| 2.2.4 磁控溅射法制备背栅ITO薄膜 | 第37-39页 |
| 2.3 晶体管绝缘层的制备 | 第39-46页 |
| 2.3.1 绝缘层材料的选取 | 第39-41页 |
| 2.3.2 原子层沉积技术原理 | 第41-44页 |
| 2.3.3 原子层沉积技术沉积Al_2O_3薄膜 | 第44-46页 |
| 2.4 黑磷薄膜的制备和转移 | 第46-51页 |
| 2.4.1 黑磷薄膜的制备方法 | 第46-49页 |
| 2.4.2 实验中黑磷薄膜的制备及转移 | 第49-51页 |
| 2.5 电极的制备以及挑电极技术 | 第51-54页 |
| 2.5.1 电极材料的选取 | 第51-52页 |
| 2.5.2 电极的制备 | 第52-53页 |
| 2.5.3 挑电极技术 | 第53-54页 |
| 2.6 本章小结 | 第54-56页 |
| 第三章 基于PET柔性衬底的背栅BPEFTs的表征及其特性研究 | 第56-67页 |
| 3.1 AFM表征及其特性研究 | 第56-63页 |
| 3.1.1 AFM表征原理 | 第56-58页 |
| 3.1.2 实验中样品的AFM表征及其特性 | 第58-63页 |
| 3.2 Raman表征及其特性研究 | 第63-66页 |
| 3.2.1 Raman表征原理 | 第63-65页 |
| 3.2.2 实验中样品的Raman表征及其特性研究 | 第65-66页 |
| 3.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 基于PET柔性衬底的背栅BPEFTs的电学特性研究 | 第67-74页 |
| 4.1 基于PET柔性衬底的背栅BPEFTs的电学原理及结构 | 第67-69页 |
| 4.2 实验仪器及测试原理 | 第69-70页 |
| 4.3 基于PET柔性衬底的背栅BPEFTs的电学特性 | 第70-73页 |
| 4.4 本章小节 | 第73-74页 |
| 第五章 总结与创新点 | 第74-76页 |
| 5.1 总结 | 第74-75页 |
| 5.2 本论文的创新之处 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果目录 | 第83页 |
