| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 符号对照表 | 第15-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-28页 |
| 1.1 GaN材料优势及发展现状 | 第20-21页 |
| 1.2 AlGaN/GaNHEMT研究背景 | 第21-23页 |
| 1.3 AlGaN/GaNFinFET研究背景 | 第23-25页 |
| 1.4 本论文研究内容与安排 | 第25-28页 |
| 第二章 AlGaN/GaNHEMT基础 | 第28-48页 |
| 2.1 AlGaN/GaNHEMT基础 | 第28-33页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaNHEMT基本结构与工作原理 | 第28-29页 |
| 2.1.2 二维电子气形成原理 | 第29-31页 |
| 2.1.3 栅压控制模型 | 第31-33页 |
| 2.2 AlGaN/GaNHEMT工艺流程 | 第33-42页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaNHEMT工艺流程 | 第33-38页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaNFinFET关键工艺 | 第38-42页 |
| 2.3 Silvaco仿真基础 | 第42-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 GaN基FinFET仿真研究 | 第48-56页 |
| 3.1 三维常规AlGaN/GaNHEMT仿真 | 第48-49页 |
| 3.2 三维AlGaN/GaNFinFET器件仿真 | 第49-53页 |
| 3.3 本章小结 | 第53-56页 |
| 第四章 GaN基FinFET器件直流特性分析 | 第56-70页 |
| 4.1 FinFET实验方案 | 第56-57页 |
| 4.2 GaN基FinFET器件转移特性分析 | 第57-64页 |
| 4.3 GaN基FinFET器件输出特性分析 | 第64-66页 |
| 4.4 GaN基FinFET器件肖特基特性分析 | 第66-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 GaN基FinFET器件等离子体氧化研究 | 第70-82页 |
| 5.1 氧化对器件转移特性的影响 | 第70-77页 |
| 5.1.1 氧化处理实验设计 | 第70-71页 |
| 5.1.2 阈值电压及饱和电流特性分析 | 第71-74页 |
| 5.1.3 亚阈值斜率及跨导特性分析 | 第74-77页 |
| 5.2 氧化处理对肖特基特性的影响 | 第77-79页 |
| 5.2.1 正向肖特基特性分析 | 第77-78页 |
| 5.2.2 肖特基反向特性分析 | 第78-79页 |
| 5.3 本章总结 | 第79-82页 |
| 第六章 结束语 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 作者简介 | 第90-91页 |
