摘要 | 第6-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
符号对照表 | 第12-13页 |
缩略语对照表 | 第13-16页 |
第一章 绪论 | 第16-22页 |
1.1 选题背景与研究意义 | 第16-17页 |
1.2 国内外研究进展 | 第17-20页 |
1.3 本文内容安排 | 第20-22页 |
第二章 GaN异质结及AlGaN沟道材料生长理论 | 第22-30页 |
2.1 GaN异质结理论基础 | 第22-26页 |
2.1.1 GaN基异质结形成物理基础 | 第22-23页 |
2.1.2 A_xGa_(1-x)N/GaN异质结的极化效应 | 第23-26页 |
2.2 AlGaN沟道材料生长 | 第26-30页 |
2.2.1 GaN的外延生长工艺 | 第26-27页 |
2.2.2 AlN材料生长 | 第27-28页 |
2.2.3 AlGaN材料生长 | 第28-30页 |
第三章 AlGaN沟道材料生长及表征 | 第30-50页 |
3.1 Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N异质结生长及表征 | 第30-41页 |
3.1.1 自主研发设备介绍 | 第30页 |
3.1.2 材料结构设计及生长 | 第30-32页 |
3.1.3 材料表面形貌及结晶质量 | 第32-39页 |
3.1.4 材料电学特性 | 第39-41页 |
3.2 超晶格结构势垒Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N异质结材料 | 第41-45页 |
3.2.1 材料结构设计及生长 | 第41-42页 |
3.2.2 材料表面形貌及结晶质量 | 第42-44页 |
3.2.3 材料电学特性 | 第44-45页 |
3.3 超晶格结构沟道Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N异质结材料 | 第45-48页 |
3.3.1 材料结构设计及生长 | 第45-46页 |
3.3.2 材料表面形貌及结晶质量 | 第46-47页 |
3.3.3 材料电学特性 | 第47-48页 |
3.4 本章总结 | 第48-50页 |
第四章 AlGaN沟道异质结器件特性研究 | 第50-60页 |
4.1 AlGaN沟道异质结HEMTs器件制备 | 第50-52页 |
4.1.1 常规HEMTs器件制备工艺 | 第50-51页 |
4.1.2 AlGaN沟道异质结材料HEMTs器件制备 | 第51-52页 |
4.2 AlGaN沟道材料HEMTs器件欧姆接触与栅肖特基特性 | 第52-54页 |
4.2.1 AlGaN沟道异质结HEMTs的欧姆接触特性 | 第52-54页 |
4.2.2 AlGaN沟道异质结HEMTs的栅肖特基特性 | 第54页 |
4.3 AlGaN沟道异质结HEMT器件的直流特性 | 第54-56页 |
4.3.1 AlGaN沟道HEMTs器件的输出与转移特性 | 第54-55页 |
4.3.2 AlGaN沟道异质结HEMTs器件的DIBL效应 | 第55-56页 |
4.4 AlGaN沟道HEMTs器件的击穿特性 | 第56-58页 |
4.4.1 HEMTs器件的击穿机制 | 第56-57页 |
4.4.2 AlGaN沟道器件击穿特性 | 第57-58页 |
4.5 本章总结 | 第58-60页 |
第五章 结束语 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-68页 |
致谢 | 第68-70页 |
作者简介 | 第70-71页 |