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基于超晶格结构的AlGaN沟道材料生长及器件制作研究

摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第12-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-22页
    1.1 选题背景与研究意义第16-17页
    1.2 国内外研究进展第17-20页
    1.3 本文内容安排第20-22页
第二章 GaN异质结及AlGaN沟道材料生长理论第22-30页
    2.1 GaN异质结理论基础第22-26页
        2.1.1 GaN基异质结形成物理基础第22-23页
        2.1.2 A_xGa_(1-x)N/GaN异质结的极化效应第23-26页
    2.2 AlGaN沟道材料生长第26-30页
        2.2.1 GaN的外延生长工艺第26-27页
        2.2.2 AlN材料生长第27-28页
        2.2.3 AlGaN材料生长第28-30页
第三章 AlGaN沟道材料生长及表征第30-50页
    3.1 Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N异质结生长及表征第30-41页
        3.1.1 自主研发设备介绍第30页
        3.1.2 材料结构设计及生长第30-32页
        3.1.3 材料表面形貌及结晶质量第32-39页
        3.1.4 材料电学特性第39-41页
    3.2 超晶格结构势垒Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N异质结材料第41-45页
        3.2.1 材料结构设计及生长第41-42页
        3.2.2 材料表面形貌及结晶质量第42-44页
        3.2.3 材料电学特性第44-45页
    3.3 超晶格结构沟道Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N异质结材料第45-48页
        3.3.1 材料结构设计及生长第45-46页
        3.3.2 材料表面形貌及结晶质量第46-47页
        3.3.3 材料电学特性第47-48页
    3.4 本章总结第48-50页
第四章 AlGaN沟道异质结器件特性研究第50-60页
    4.1 AlGaN沟道异质结HEMTs器件制备第50-52页
        4.1.1 常规HEMTs器件制备工艺第50-51页
        4.1.2 AlGaN沟道异质结材料HEMTs器件制备第51-52页
    4.2 AlGaN沟道材料HEMTs器件欧姆接触与栅肖特基特性第52-54页
        4.2.1 AlGaN沟道异质结HEMTs的欧姆接触特性第52-54页
        4.2.2 AlGaN沟道异质结HEMTs的栅肖特基特性第54页
    4.3 AlGaN沟道异质结HEMT器件的直流特性第54-56页
        4.3.1 AlGaN沟道HEMTs器件的输出与转移特性第54-55页
        4.3.2 AlGaN沟道异质结HEMTs器件的DIBL效应第55-56页
    4.4 AlGaN沟道HEMTs器件的击穿特性第56-58页
        4.4.1 HEMTs器件的击穿机制第56-57页
        4.4.2 AlGaN沟道器件击穿特性第57-58页
    4.5 本章总结第58-60页
第五章 结束语第60-62页
参考文献第62-68页
致谢第68-70页
作者简介第70-71页

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