| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-30页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第18-21页 |
| 1.1.1 MOS器件的发展及其面临的挑战 | 第18-20页 |
| 1.1.2 新型三维MOS(FINFET)器件的优点 | 第20-21页 |
| 1.2 FINFET器件简介 | 第21-27页 |
| 1.2.1 FINFET技术的出现 | 第21-22页 |
| 1.2.2 FINFET器件的结构 | 第22-24页 |
| 1.2.3 FINFET器件的分类 | 第24-26页 |
| 1.2.4 FINFET器件参数 | 第26-27页 |
| 1.3 本文的研究工作及内容安排 | 第27-30页 |
| 第二章 FINFET的缩小理论及工艺流程 | 第30-38页 |
| 2.1 FINFET的缩小理论 | 第30-34页 |
| 2.2 双栅SOIFINFET制作工艺 | 第34-37页 |
| 2.2.1 双栅SOIFINFET制作流程 | 第34-35页 |
| 2.2.2 FINFET制作工艺中的重要问题 | 第35-37页 |
| 2.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 三栅SOIFINFET基本电特性的研究 | 第38-58页 |
| 3.1 仿真软件SILVACOTCAD的介绍 | 第38-39页 |
| 3.2 器件结构模型的建立 | 第39-41页 |
| 3.3 三栅SOIFINFET结构参数与输出特性的研究 | 第41-47页 |
| 3.3.1 关于三栅FINFET输出特性的基本原理 | 第41-43页 |
| 3.3.2 三栅SOIFINFET结构参数与I-V特性的仿真研究 | 第43-47页 |
| 3.4 三栅SOIFINFET结构参数对阈值电压的仿真研究 | 第47-54页 |
| 3.4.1 三栅SOIFINFET阈值电压的建模 | 第47-51页 |
| 3.4.2 三栅SOIFINFET阈值电压仿真研究 | 第51-54页 |
| 3.5 三栅SOIFINFET结构参数对基本电学特性的影响实验测试 | 第54-56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 P型FINFET器件NBTI效应研究 | 第58-72页 |
| 4.1 NBTI效应研究的测试方案与测量方法 | 第58-60页 |
| 4.2 P型FINFET器件I-V特性及静态参数的退化 | 第60-61页 |
| 4.3 P型FINFET器件静态参数随NBTI应力时间的退化 | 第61-66页 |
| 4.3.1 P型FINFET阈值电压随应力时间的退化 | 第62-63页 |
| 4.3.2 P型FINFET漏电流随应力时间的漂移情况 | 第63-64页 |
| 4.3.3 P型FINFET最大跨导随应力时间的退化 | 第64-65页 |
| 4.3.4 P型FINFET各静态参数随应力时间的漂移情况 | 第65-66页 |
| 4.4 NBTI应力条件对P型FINFET器件NBTI效应的影响 | 第66-68页 |
| 4.4.1 温度应力对NBTI效应的影响 | 第66-67页 |
| 4.4.2 栅压应力对NBTI效应的影响 | 第67-68页 |
| 4.5 FINFET在NBTI效应下的阈值电压漂移机理分析 | 第68-70页 |
| 4.6 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 5.1 总结 | 第72-73页 |
| 5.2 展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 作者简介 | 第80-81页 |
