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AlGaN/GaN HEMT器件的高场高温可靠性研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第12-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-28页
    1.1 研究背景及研究意义第16-26页
        1.1.1 GaN材料及GaN基HEMT器件的发展第16-19页
        1.1.2 GaN基HEMT器件所存在的高场可靠性问题第19-23页
        1.1.3 GaN基HEMT器件所存在的高温可靠性问题第23-26页
    1.2 本文的主要内容第26-28页
第二章 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理第28-36页
    2.1 AlGaN/GaN HEMT器件基本结构第28-29页
    2.2 AlGaN/GaN异质结的极化效应及二维电子气的产生第29-32页
    2.3 AlGaN/GaN HEMT器件的直流特性第32-34页
    2.4 本章小结第34-36页
第三章 AlGaN/GaN HEMT器件的高场可靠性第36-50页
    3.1 实验方案与器件表征第36-37页
    3.2 关态恒定电应力下AlGaN/GaN HEMT器件的退化第37-40页
    3.3 开态恒定电应力下AlGaN/GaN HEMT器件的退化第40-43页
    3.4 阶梯应力下AlGaN/GaN HEMT器件的退化第43-48页
        3.4.1 关态栅阶梯应力下AlGaN/GaN HEMT器件的退化第44-45页
        3.4.2 关态漏阶梯应力下AlGaN/GaN HEMT器件的退化第45-47页
        3.4.3 开态阶梯应力下AlGaN/GaN HEMT器件的退化第47-48页
    3.5 本章小结第48-50页
第四章 AlGaN/GaN HEMT器件的高温可靠性第50-62页
    4.1 AlGaN/GaN HEMT器件的高温直流特性第50-54页
    4.2 AlGaN/GaN HEMT器件的高温交流特性第54-61页
        4.2.1 脉冲应力下AlGaN/GaN HEMT器件的电流崩塌第54-56页
        4.2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的C-V特性研究第56-60页
        4.2.3 AlGaN/GaN HEMT器件的栅延迟特性第60-61页
    4.3 本章小结第61-62页
第五章 总结与展望第62-64页
    5.1 本文的主要结论第62-63页
    5.2 工作展望第63-64页
参考文献第64-70页
致谢第70-72页
作者简介第72-73页

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