| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-30页 |
| 1.1 铁电体及铁电薄膜材料 | 第9-16页 |
| 1.1.1 铁电体 | 第9-13页 |
| 1.1.2 铁电薄膜材料 | 第13-16页 |
| 1.2 铁电场效应晶体管 | 第16-20页 |
| 1.2.1 铁电场效应晶体管的基本结构 | 第16-17页 |
| 1.2.2 铁电场效应晶体管的原理 | 第17-18页 |
| 1.2.3 铁电场效应晶体管存在的问题 | 第18-20页 |
| 1.3 铁电场效应晶体管的应用 | 第20-28页 |
| 1.3.1 基于FeFET的FeCMOS | 第20-21页 |
| 1.3.2 非易失性存储器 | 第21-28页 |
| 1.4 本论文的研究意义和主要内容 | 第28-30页 |
| 1.4.1 本论文的研究意义 | 第28页 |
| 1.4.2 本论文的主要内容 | 第28-30页 |
| 第2章 温度对负电容SBT铁电场效应晶体管电学性能的影响 | 第30-42页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 铁电薄膜负电容 | 第31-34页 |
| 2.2.1 负电容的定义 | 第31-32页 |
| 2.2.2 检验负电容存在的方法 | 第32-34页 |
| 2.3 SBT-MFS-NC-FET物理模型的建立 | 第34-37页 |
| 2.3.1 SBT-MFS-NC-FET物理模型 | 第34-36页 |
| 2.3.2 模型参数的确定 | 第36-37页 |
| 2.4 温度对SBT-MFS-NC-FET电学性能的影响 | 第37-41页 |
| 2.4.1 温度对硅表面势的影响 | 第37-38页 |
| 2.4.2 温度对栅电容的影响 | 第38-39页 |
| 2.4.3 温度对转移特性的影响 | 第39-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 掺杂浓度对负电容SBT铁电场效应晶体管电学性能的影响 | 第42-49页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 SBT-MFS-NC-FET物理模型建立 | 第42-44页 |
| 3.2.1 SBT-MFS-NC-FET物理模型 | 第42-43页 |
| 3.2.2 模型参数的确定 | 第43-44页 |
| 3.3 掺杂浓度对SBT-MFS-NC-FET电学性能的影响 | 第44-48页 |
| 3.3.1 掺杂浓度对硅表面势的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.2 掺杂浓度对栅电容的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.3 掺杂浓度对转移特性的影响 | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 铁电层厚度对负电容SBT铁电场效应晶体管电学性能的影响 | 第49-55页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 SBT -MFS-NC-FET物理模型的建立 | 第49-51页 |
| 4.2.1 SBT-MFS-NC-FET物理模型 | 第49-50页 |
| 4.2.2 模型参数的确定 | 第50-51页 |
| 4.3 铁电层厚度对SBT-MFS-NC-FET电学性能的影响 | 第51-54页 |
| 4.3.1 铁电层厚度对硅表面势的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.2 铁电层厚度对栅电容的影响 | 第52-53页 |
| 4.3.3 铁电层厚度对转移特性的影响 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 界面层效应对负电容SBT场效应晶体管的电学性能的影响 | 第55-64页 |
| 5.1 引言 | 第55-56页 |
| 5.2 铁电-金属电极界面层模型 | 第56-57页 |
| 5.3 铁电-金属电极界面层SBT-MFS-NC-FET物理模型 | 第57-58页 |
| 5.3.1 模型的建立 | 第57-58页 |
| 5.3.2 模型参数的确定 | 第58页 |
| 5.4 界面效应对SBT-MFS-NC-FET电学性能的影响 | 第58-63页 |
| 5.4.1 界面效应对硅表面势的影响 | 第58-60页 |
| 5.4.2 界面效应对栅电容的影响 | 第60-61页 |
| 5.4.3 界面效应对转移特性的影响 | 第61-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第6章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 论文总结 | 第64-65页 |
| 6.2 工作展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 个人简历、攻读硕士学位期间论文发表情况 | 第73页 |
