| 化合物的结构式与编号 | 第4-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 前言 | 第13-33页 |
| 1.1 有机场效应晶体管简介 | 第13-18页 |
| 1.1.1 有机半导体材料的发展 | 第13-15页 |
| 1.1.2 有机场效应晶体管的基本结构及性能参数 | 第15-16页 |
| 1.1.3 有机半导体材料的分类 | 第16-18页 |
| 1.2 稠合噻吩类有机半导体材料 | 第18-31页 |
| 1.2.1 并三噻吩及其衍生物 | 第19-27页 |
| 1.2.2 多元稠合噻吩化合物 | 第27-31页 |
| 1.3 课题内容及研究思路 | 第31-33页 |
| 第二章 基于tt-DTT的三种并五噻吩同分异构体的制备及其OFETs性能研究 | 第33-59页 |
| 2.1 基于tt-DTT的三种并五噻吩同分异构体的制备 | 第33-54页 |
| 2.1.1 三种并五噻吩的合成路线设计 | 第33-35页 |
| 2.1.2 结果与讨论 | 第35-38页 |
| 2.1.3 实验部分 | 第38-54页 |
| 2.2 PTA-1薄膜性质的初步研究 | 第54-57页 |
| 2.2.1 有机薄膜制备及表征 | 第54-56页 |
| 2.2.2 OFETs性能表征 | 第56-57页 |
| 2.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第三章 基于bb-DTT的并五噻吩的制备及其OFETs性能研究 | 第59-71页 |
| 3.1 基于bb-DTT的并五噻吩的制备 | 第59-66页 |
| 3.1.1 PTA-4的合成路线设计 | 第59-60页 |
| 3.1.2 结果与讨论 | 第60-61页 |
| 3.1.3 实验部分 | 第61-66页 |
| 3.2 单晶结构分析 | 第66-67页 |
| 3.2.1 化合物21的单晶结构分析 | 第66-67页 |
| 3.2.2 化合物23的单晶结构分析 | 第67页 |
| 3.3 PTA-4薄膜性质的初步研究 | 第67-69页 |
| 3.3.1 有机薄膜制备及表征 | 第67-68页 |
| 3.3.2 OFETs性能表征 | 第68-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第四章 基于bt-DTT的两种并五噻吩同分异构体的制备及其OFETs性能研究 | 第71-91页 |
| 4.1 基于bt-DTT的并五噻吩的制备 | 第72-88页 |
| 4.1.1 并五噻吩的合成路线设计 | 第72-73页 |
| 4.1.2 结果与讨论 | 第73-75页 |
| 4.1.3 实验部分 | 第75-88页 |
| 4.2 单晶结构分析 | 第88-89页 |
| 4.2.1 化合物38的单晶结构分析 | 第88页 |
| 4.2.2 化合物40的单晶结构分析 | 第88-89页 |
| 4.3 PTA-5、PTA-6薄膜性质的初步研究 | 第89-90页 |
| 4.3.1 有机薄膜制备及表征 | 第89-90页 |
| 4.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-101页 |
| 第五章 结束语 | 第101-103页 |
| 5.1 主要结论 | 第101页 |
| 5.2 存在的不足 | 第101-102页 |
| 5.3 展望 | 第102-103页 |
| 附录A 化合物的~1H、~(13)C、MS、HRMS、IR表征 | 第103-157页 |
| 附录B 化合物单晶结构数据 | 第157-161页 |
| 攻读硕士期间的科研成果 | 第161-163页 |
| 致谢 | 第163-164页 |
