| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 忆阻器的概述 | 第10-16页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第10-13页 |
| 1.1.2 忆阻器的内涵 | 第13-16页 |
| 1.2 忆阻器材料的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.2.1 二元氧化物 | 第16-17页 |
| 1.2.2 固体电解质 | 第17页 |
| 1.2.3 氮化物 | 第17-18页 |
| 1.2.4 有机和聚合物材料 | 第18页 |
| 1.2.5 钙钛矿氧化物 | 第18页 |
| 1.3 忆阻器的工作机制 | 第18-21页 |
| 1.3.1 导电丝模型 | 第18-19页 |
| 1.3.2 P-F发射机制 | 第19-20页 |
| 1.3.3 肖特基势垒模型 | 第20-21页 |
| 1.4 WO_3的忆阻特性 | 第21页 |
| 1.5 本论文的研究目的、内容及意义 | 第21-24页 |
| 1.5.1 本论文研究的目的和意义 | 第21-22页 |
| 1.5.2 本论文的研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 实验材料和方法 | 第24-28页 |
| 2.1 实验所用试剂及仪器 | 第24-25页 |
| 2.1.1 试剂 | 第24页 |
| 2.1.2 仪器设备 | 第24-25页 |
| 2.2 实验方法 | 第25-28页 |
| 2.2.1 光学显微镜分析 | 第25页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜分析 | 第25-26页 |
| 2.2.3 拉曼光谱分析 | 第26页 |
| 2.2.4 X射线衍射仪分析 | 第26页 |
| 2.2.5 电输运测试平台 | 第26-28页 |
| 第三章 WO_3纳米线的制备以及表征 | 第28-34页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 WO_3的结构与性质 | 第28-29页 |
| 3.3 WO_3 一维纳米材料的制备 | 第29-30页 |
| 3.4 WO_3形貌和结构的表征 | 第30-33页 |
| 3.4.1 WO_3纳米线的SEM分析 | 第30-31页 |
| 3.4.2 WO_3纳米线的XRD分析 | 第31-32页 |
| 3.4.3 单根WO_3纳米线的拉曼光谱图 | 第32-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 WO_3纳米线两端器件测试 | 第34-50页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 构筑WO_3纳米器件 | 第34-36页 |
| 4.3 基于对称电极Au/WO_3/Au器件的电输运测试 | 第36-40页 |
| 4.3.1 对称电极Au/WO_3/Au器件的忆阻效应 | 第36-38页 |
| 4.3.2 扫描次数对对称Au/WO_3/Au器件电导的影响 | 第38-40页 |
| 4.4 基于对非对称Cu/WO_3/Au器件的电输运测试 | 第40-48页 |
| 4.4.1 扫描次数非对称Cu/WO_3/Au器件电导的影响 | 第41-44页 |
| 4.4.2 非对称电极Cu/WO_3/Au器件的忆阻效应 | 第44-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结和展望 | 第50-52页 |
| 5.1 总结 | 第50-51页 |
| 5.2 展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 附录: 攻读硕士学位期间论文完成情况 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
