| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第15-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-29页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第21-24页 |
| 1.2 MOS器件辐照效应的国内外研究现状 | 第24-27页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第24-26页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第26-27页 |
| 1.3 本文研究工作内容及章节安排 | 第27-29页 |
| 第二章 应变Si技术及MOS器件辐照效应产生机理 | 第29-41页 |
| 2.1 应变Si技术 | 第29-32页 |
| 2.1.1 双轴应力引入机制 | 第29-30页 |
| 2.1.2 单轴应力引入机制 | 第30-32页 |
| 2.2 MOS器件电离效应 | 第32-36页 |
| 2.2.1 MOS器件电离效应 | 第33-34页 |
| 2.2.2 MOS器件总剂量损伤机制 | 第34-36页 |
| 2.3 MOS器件单粒子效应 | 第36-38页 |
| 2.3.1 单粒子效应电荷淀积机理 | 第36-37页 |
| 2.3.2 单粒子效应电荷收集机理 | 第37-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-41页 |
| 第三章 单轴应变Si纳米沟道MOS器件设计与制造 | 第41-63页 |
| 3.1 应变Si材料 | 第41-44页 |
| 3.1.1 应变Si材料的能带结构 | 第41-42页 |
| 3.1.2 载流子迁移率的增强机制 | 第42-44页 |
| 3.2 单轴应变Si纳米沟道MOS器件设计 | 第44-52页 |
| 3.2.1 Si N薄膜致应变器件性能仿真 | 第44-48页 |
| 3.2.2 纳米级应变MOS器件工艺参数优化 | 第48-52页 |
| 3.3 单轴应变Si纳米MOS器件制造 | 第52-61页 |
| 3.3.1 单轴应变Si纳米沟道MOS器件制造工艺及实物样品 | 第53-59页 |
| 3.3.2 单轴应变Si纳米沟道MOS器件测试结果与分析 | 第59-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 单轴应变Si纳米MOS器件总剂量辐照阈值电压模型 | 第63-93页 |
| 4.1 总剂量 γ 射线辐照实验 | 第63-70页 |
| 4.2 γ 射线总剂量辐照MOS器件损伤机制 | 第70-88页 |
| 4.2.1 总剂量辐照阈值电压模型 | 第73-79页 |
| 4.2.2 总剂量辐照沟道电流模型 | 第79-80页 |
| 4.2.3 模型结果讨论与验证 | 第80-88页 |
| 4.3 总剂量X射线辐照实验 | 第88-91页 |
| 4.4 本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 总剂量辐照对单轴应变Si纳米MOS器件栅电流的研究 | 第93-117页 |
| 5.1 总剂量辐照热载流子栅电流模型 | 第93-104页 |
| 5.1.1 总剂量辐照热载流子栅电流增强机制 | 第93-95页 |
| 5.1.2 热载流子栅电流模型 | 第95-97页 |
| 5.1.3 结果与讨论 | 第97-104页 |
| 5.2 总剂量辐照隧穿栅电流模型 | 第104-116页 |
| 5.2.1 总剂量辐照栅隧穿电流 | 第104-111页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第111-116页 |
| 5.3 本章小结 | 第116-117页 |
| 第六章 应变Si NMOS器件单粒子效应及加固技术研究 | 第117-133页 |
| 6.1 单粒子效应(SEE) | 第117-118页 |
| 6.2 MOS器件单粒子瞬态效应研究 | 第118-125页 |
| 6.2.1 器件结构及物理模型 | 第118-120页 |
| 6.2.2 仿真结果与分析 | 第120-125页 |
| 6.3 U型沟槽新型加固器件结构 | 第125-132页 |
| 6.3.1 新型加固结构 | 第126-129页 |
| 6.3.2 新型加固器件结构对单粒子瞬态效应的影响 | 第129-132页 |
| 6.4 本章小结 | 第132-133页 |
| 第七章 总结与展望 | 第133-137页 |
| 7.1 主要研究内容及创新性成果 | 第133-134页 |
| 7.2 对下一步研究工作的展望 | 第134-137页 |
| 参考文献 | 第137-155页 |
| 致谢 | 第155-157页 |
| 作者简介 | 第157-159页 |
