| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第17页 |
| 1.2 功率MOS器件的国内外发展现状及分析 | 第17-22页 |
| 1.2.1 硅基功率MOS器件国内外发展概述及分析 | 第17-20页 |
| 1.2.2 碳化硅基功率MOS器件国内外发展概述及分析 | 第20-22页 |
| 1.2.3 Si/SiC异质结发展概述及分析 | 第22页 |
| 1.3 本论文的主要内容与创新 | 第22-25页 |
| 第二章 优化功率MOS器件性能的技术 | 第25-39页 |
| 2.1 优化功率MOS器件性能的几种技术 | 第25-38页 |
| 2.1.1 场板技术 | 第25-27页 |
| 2.1.2 场限环 | 第27页 |
| 2.1.3 横向变掺杂技术 | 第27-28页 |
| 2.1.4 结终端扩展技术 | 第28页 |
| 2.1.5 RESURF技术 | 第28-35页 |
| 2.1.6 REBULF技术 | 第35-36页 |
| 2.1.7 超结结构 | 第36-38页 |
| 2.2 ISETCAD 10.0软件简介 | 第38页 |
| 2.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 具有Si/SiC异质结VDMOS | 第39-51页 |
| 3.1 Si/SiC异质结VDMOS工作原理 | 第39-41页 |
| 3.1.1 击穿点转移技术 | 第39-40页 |
| 3.1.2 工作原理 | 第40-41页 |
| 3.2 Si/SiC异质结VDMOS器件与传统器件性能比较 | 第41-44页 |
| 3.3 结构参数对器件性能的影响分析 | 第44-47页 |
| 3.3.1 SiC在P型基区中的深度对器件性能的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.2 界面电荷对器件性能的影响 | 第46-47页 |
| 3.4 Si/SiC异质结VDMOS器件工艺流程简介 | 第47-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 具有Si/SiC异质结UMOSFET | 第51-63页 |
| 4.1 Si/SiC异质结UMOSFET工作原理 | 第51-53页 |
| 4.2 Si/SiC异质结UMOSFET与传统器件性能比较 | 第53-55页 |
| 4.3 结构参数对器件性能的影响分析 | 第55-58页 |
| 4.3.1 氧化层深度对器件性能的影响 | 第55-57页 |
| 4.3.2 界面电荷对器件性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.4 Si/SiC异质结UMOSFET工艺流程简介 | 第58-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 具有Si/SiC异质结LDMOS | 第63-71页 |
| 5.1 Si/SiC异质结LDMOS工作原理 | 第63-65页 |
| 5.2 Si/SiC异质结LDMOS器件与传统器件性能比较 | 第65-67页 |
| 5.3 结构参数对器件性能的影响分析 | 第67-70页 |
| 5.3.1 SiC的宽度对器件性能的影响 | 第67-68页 |
| 5.3.2 SiC的深度对器件性能的影响 | 第68-69页 |
| 5.3.3 界面电荷对器件性能的影响 | 第69-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 6.1 总结 | 第71-72页 |
| 6.2 展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-83页 |
