| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 SiC绝缘栅器件的研究意义 | 第17-18页 |
| 1.2 SiCMOS界面研究现状及发展动态分析 | 第18-21页 |
| 1.3 本论文的研究内容及安排 | 第21-23页 |
| 第二章 SiCMOS电容与SiO_2/SiC界面特性 | 第23-33页 |
| 2.1 SiCMOS电容特性分析 | 第23-26页 |
| 2.1.1 SiCMOS电容的C-V特性 | 第23-24页 |
| 2.1.2 界面态密度Dit的计算 | 第24-26页 |
| 2.2 SiO_2/SiC的界面特性 | 第26-32页 |
| 2.2.1 MOS系统中电荷的构成 | 第26-30页 |
| 2.2.2 界面钝化对界面特性的影响 | 第30-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 SiO_2/SiC的界面模型的建立与机理分析 | 第33-49页 |
| 3.1 密度泛函理论 | 第33-39页 |
| 3.1.1 Hohenberg-Kohn定理与Kohn-Sham方程 | 第33-35页 |
| 3.1.2 局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA) | 第35-36页 |
| 3.1.3 DFT计算的基本要素 | 第36-39页 |
| 3.2 计算模型的搭建 | 第39-45页 |
| 3.2.1 4H-SiC表面模型 | 第39-43页 |
| 3.2.2 无过渡层界面模型 | 第43-44页 |
| 3.2.3 含过渡层界面模型 | 第44-45页 |
| 3.3 引入Ba元素的界面结构计算与机理分析 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 SiO_2/BaIL/SiC界面结构的实验研究 | 第49-65页 |
| 4.1 SiO_2/BaIL/SiCMOS电容制备流程 | 第49-50页 |
| 4.2 SiO_2/BaIL/SiCMOS的界面特性分析 | 第50-61页 |
| 4.2.1 椭偏仪测试原理与结果分析 | 第50-53页 |
| 4.2.2 XPS测试原理与结果分析 | 第53-55页 |
| 4.2.3 退火温度和Ba层厚度对SiO_2/BaIL/SiCMOS界面特性的影响 | 第55-58页 |
| 4.2.4 退火气氛对SiO_2/BaIL/SiCMOS界面特性的影响 | 第58-61页 |
| 4.3 SiO_2/BaIL/SiCMOS栅漏电特性分析 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-69页 |
| 5.1 总结 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
