| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第1章 前言 | 第8-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 高电子迁移率晶体管 | 第9-10页 |
| 1.3 GaN及AlGaN/GaN异质结构 | 第10-12页 |
| 1.4 铁电材料 | 第12-15页 |
| 1.5 铁电/GaN半导体外延集成结构的研究现状 | 第15-23页 |
| 1.6 本文的研究意义和内容 | 第23-24页 |
| 第2章 样品的制备及性能表征 | 第24-33页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 脉冲激光沉积基本原理和技术特点 | 第24-25页 |
| 2.3 薄膜表征方法与性能测试 | 第25-33页 |
| 2.3.1 反射高能电子衍射(RHEED) | 第25-27页 |
| 2.3.2 X射线衍射分析 | 第27-28页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜 | 第29-30页 |
| 2.3.5 原子力显微镜 | 第30-31页 |
| 2.3.6 电学和磁学性能表征 | 第31-33页 |
| 第3章 PMN-PT薄膜在GaN衬底表面的直接外延生长 | 第33-42页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 PMN-PT薄膜的制备与表征 | 第33-41页 |
| 3.2.1 PMN-PT薄膜的制备 | 第33-35页 |
| 3.2.2 PMN-PT薄膜结构表征 | 第35-40页 |
| 3.2.3 PMN-PT薄膜的铁电性能表征 | 第40-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 HEMTs器件结构研究及氧化锌基导电薄膜的制备 | 第42-52页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 HEMTs器件结构及异质结构性能测试方法 | 第42-43页 |
| 4.3 氧化锌基导电薄膜的制备 | 第43-50页 |
| 4.3.1 化学气相沉积法制备硼掺杂氧化锌基导电薄膜 | 第43-48页 |
| 4.3.2 磁控溅射法制备Al掺杂氧化锌基导电薄膜 | 第48-50页 |
| 4.4 小结 | 第50-52页 |
| 第5章 结论与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 工作总结 | 第52-53页 |
| 5.2 工作展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间所开展的科研项目和发表的学术论文 | 第61页 |
