基于应变硅技术的半导体器件的应力分析
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-12页 |
| ·课题的背景和意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究动态 | 第8-10页 |
| ·论文的主要内容 | 第10-12页 |
| 第二章 应变硅技术及其物理机制 | 第12-17页 |
| ·应变硅技术 | 第12-14页 |
| ·双轴应变工艺 | 第12-13页 |
| ·单轴应变工艺 | 第13-14页 |
| ·应力增强载流子迁移率的机理 | 第14-17页 |
| 第三章 应变硅器件的有限元模拟研究 | 第17-33页 |
| ·应力和应变 | 第17页 |
| ·应变的物理测量方法 | 第17-20页 |
| ·拉曼光谱法 | 第18-19页 |
| ·会聚束电子衍射法 | 第19-20页 |
| ·SiGe/Si 异质结构的应力分析 | 第20-26页 |
| ·有限元模型的建立 | 第20页 |
| ·有限元分析方法和步骤 | 第20-22页 |
| ·模拟结果分析与讨论 | 第22-26页 |
| ·SiN 薄膜结构的应力分析 | 第26-31页 |
| ·有限元模型的建立 | 第27-28页 |
| ·有限元分析方法和步骤 | 第28-31页 |
| ·模拟结果分析与讨论 | 第31页 |
| ·小结 | 第31-33页 |
| 第四章 应变硅器件的TCAD 模拟研究 | 第33-59页 |
| ·Sentaurus TCAD 软件简介 | 第33-34页 |
| ·SiGe 源漏结构 PMOS 的应力分析 | 第34-47页 |
| ·源漏组分的影响 | 第39-41页 |
| ·栅极长度的影响 | 第41-44页 |
| ·源漏刻蚀深度的影响 | 第44-46页 |
| ·源漏抬高高度的影响 | 第46-47页 |
| ·源漏长度的影响 | 第47页 |
| ·SiN 应力层结构 NMOS 的应力分析 | 第47-58页 |
| ·栅极长度的影响 | 第52-53页 |
| ·SiN 薄膜本征应力的影响 | 第53-55页 |
| ·SiN 薄膜厚度的影响 | 第55-56页 |
| ·多晶硅栅极高度的影响 | 第56-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第66页 |
