| <中文摘要> | 第1-4页 |
| <中文关键词> | 第4-5页 |
| <英文摘要> | 第5-6页 |
| <英文关键词> | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-19页 |
| ·集成电路产业的发展现状 | 第11-12页 |
| ·集成电路栅介质面临的挑战 | 第12-13页 |
| ·检测氧化硅质量的方法 | 第13-14页 |
| ·影响氧化硅质量的缺陷 | 第14-15页 |
| ·TDDB测试用于工艺评估 | 第15-16页 |
| ·本文研究的内容 | 第16-19页 |
| 第二章 氧化硅的氧化机理与Si-SiO_2系统 | 第19-33页 |
| ·氧化硅氧化原理 | 第19-22页 |
| ·氧化硅的结构和性质 | 第22-27页 |
| ·Si-SiO_2系统 | 第27-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第三章 氧化硅的击穿模型 | 第33-54页 |
| ·氧化硅上的电压V_(ox) | 第33-38页 |
| ·氧化硅中电子的隧穿 | 第38-40页 |
| ·电子在氧化硅中的输运及陷阱的产生 | 第40-41页 |
| ·空穴电流的产生 | 第41-42页 |
| ·陷阱对载流子的俘获与释放 | 第42-45页 |
| ·氧化硅的击穿 | 第45-48页 |
| ·击穿的统计描述 | 第48-49页 |
| ·氧化硅击穿后的结构 | 第49-50页 |
| ·恒电流TDDB下陷阱的行为 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| 第四章 等离子体充电效应与离子轰击损伤 | 第54-73页 |
| ·有关等离子体的概念 | 第54-56页 |
| ·等离子体鞘层模型 | 第56-61页 |
| ·RIE刻蚀系统 | 第61-65页 |
| ·RIE工艺中等离子体充电模型 | 第65-70页 |
| ·RIE到蚀过程中离子轰击造成的损伤 | 第70-71页 |
| ·小结 | 第71-73页 |
| 第五章 器件的可靠性与威布尔失效分布 | 第73-90页 |
| ·可靠性的概念 | 第73-74页 |
| ·可靠性的定量表示 | 第74-75页 |
| ·器件的失效特征 | 第75-79页 |
| ·器件的寿命特征 | 第79-85页 |
| ·威布尔失效分布 | 第85-89页 |
| ·小结 | 第89-90页 |
| 第六章 样品设计、制备及测试方法的确定 | 第90-99页 |
| ·测试图形的设计 | 第90-93页 |
| ·工艺设计 | 第93-95页 |
| ·测试方法的确认 | 第95-97页 |
| ·实验方法 | 第97页 |
| ·小结 | 第97-99页 |
| 第七章 氧化硅击穿模型的实验结果与讨论 | 第99-129页 |
| ·用AFM观察氧化硅的表面形貌 | 第99-101页 |
| ·对乌嘴效应影响测试结果的讨论 | 第101-103页 |
| ·初始电压V_(ini) | 第103-106页 |
| ·击穿过程两个参数△V_(bd)和Q_(bd)的统计分布 | 第106-111页 |
| ·不同电流密度下的Q_(bd)和n_(bd) | 第111-114页 |
| ·不同厚度氧化硅击穿时的Q_(bd)和n_(bd) | 第114-117页 |
| ·陷阱产生密度随时间的变化关系 | 第117-122页 |
| ·用t_(bd)推测器件有工作寿命 | 第122-124页 |
| ·用等效厚度表征缺陷 | 第124-125页 |
| ·正负栅压下击穿特性的比较 | 第125-126页 |
| ·MOS电容击穿后的二极管特性 | 第126页 |
| ·小结 | 第126-129页 |
| 第八章 等离子体充电效应与离子轰击损伤的实验结果与讨论 | 第129-137页 |
| ·充电效应对氧化硅质量的影响 | 第129-134页 |
| ·侧壁离子轰击对氧化硅的影响 | 第134-135页 |
| ·小结 | 第135-137页 |
| 第九章 全文总结 | 第137-141页 |
| <参考文献> | 第141-145页 |
| 发表的文章 | 第145-146页 |
| 致 谢 | 第146页 |
