| 论文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-5页 |
| 攻读学位期间的获奖情况 | 第5-6页 |
| 攻读学位期间已发表和待发表论文清单 | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| §1.1 低维半导体结构 | 第9页 |
| §1.2 电子结构理论概述 | 第9-10页 |
| §1.3 激子态 | 第10页 |
| §1.4 有效质量包络函数理论 | 第10-12页 |
| 参考文献 | 第12-13页 |
| 第二章 GaAs／In(Al)As低维结构有效质量理论 | 第13-55页 |
| §2.1 体半导体材料的有效质量理论 | 第13-15页 |
| §2.2 低维半导体结构的包络函数模型 | 第15-16页 |
| §2.3 InAs／GaAs应变超晶格 | 第16-21页 |
| §2.4 沿[311]方向直接生长的GaAs／GaAlAs量子线 | 第21-28页 |
| §2.5 InAs／GaAs单分子层耦合量子点 | 第28-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 附表 | 第34-37页 |
| 附图 | 第37-55页 |
| 第三章 InAs／GaAs低维结构精确有效质量理论 | 第55-70页 |
| §3.1 旧有效质量包络函数模型的困难 | 第55-56页 |
| §3.2 低维半导体结构精确有效质量理论 | 第56-57页 |
| §3.3 InAs／GaAs应变超晶格精确有效质量理论 | 第57-60页 |
| §3.4 InAs／GaAs耦合量子点精确有效质量理论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 附表 | 第63-65页 |
| 附图 | 第65-70页 |
| 第四章 结论 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
