| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第一章 绪 论 | 第9-14页 |
| 1．1 研究GaAs:Si:Cu光导开关基体材料特性的意义 | 第9-10页 |
| 1．2 GaAs材料特性简介 | 第10页 |
| 1．3 GaAs光导开关的发展历史和研究现状 | 第10-12页 |
| 1．4 论文主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 GaAs补偿机理和杂质Cu引入的缺陷 | 第14-24页 |
| 2．1 NDLECSI GaAs补偿特性理论分析 | 第14-17页 |
| 2．2 NDLECSI GaAs中的主要电活性杂质 | 第17-19页 |
| 2．3 NDLECSI GaAs中主要本征缺陷 | 第19-20页 |
| 2．4 Cu在GaAs中引起的有关缺陷 | 第20-24页 |
| 第三章 GaAs:Si:Cu光导开关的光导机理 | 第24-30页 |
| 3．1 半导体的光电导 | 第24-27页 |
| 3．1．1 附加电导率 | 第24-25页 |
| 3．1．2 光电导灵敏度及光电导增益 | 第25-26页 |
| 3．1．3 复合和陷阱效应对光电导的影响 | 第26-27页 |
| 3．2 GaAs:Si:Cu光导开关机理 | 第27-30页 |
| 3．2．1 GaAs光导开关的基本原理 | 第27-28页 |
| 3．2．2 开关的锁定效应 | 第28-29页 |
| 3．2．3 热击穿和表面击穿 | 第29页 |
| 3．2．4 激光波长的选择 | 第29-30页 |
| 第四章 GaAs光导开关特性模拟 | 第30-44页 |
| 4．1 GaAs:Si:Cu光导开关模型的建立 | 第30-35页 |
| 4．1．1 深能级中载流子的跃迁 | 第31-32页 |
| 4．1．2 GaAs光导开关模型 | 第32-33页 |
| 4．1．3 载流子初始浓度计算 | 第33-35页 |
| 4．2 程序流程简图 | 第35-37页 |
| 4．3 模拟结果及分析 | 第37-42页 |
| 4．3．1 载流子浓度随时间的变化 | 第37-38页 |
| 4．3．2 电导率随时间的变化 | 第38-40页 |
| 4．3．3 电导率与光通量的关系 | 第40页 |
| 4．3．4 电导率与杂质浓度的关系 | 第40-42页 |
| 4．4 结语 | 第42-44页 |
| 第五章 GaAs表面化学镀铜 | 第44-54页 |
| 5．1 化学镀及镀铜机理 | 第44-50页 |
| 5．2 GaAs表面化学镀铜实验 | 第50-53页 |
| 5．2．1 GaAs晶片预处理 | 第50-51页 |
| 5．2．2 镀液配制及其原则 | 第51页 |
| 5．2．3 实验过程、结果及讨论 | 第51-53页 |
| 5．3 结语 | 第53-54页 |
| 第六章 GaAs晶体中Cu的扩散及测定 | 第54-68页 |
| 6．1 扩散实验 | 第54-55页 |
| 6．2 样品中Cu浓度的测量 | 第55-62页 |
| 6．2．1 多波长红外吸收法测EL2浓度 | 第55-56页 |
| 6．2．2 Hall效应测量扩Cu样品中载流子的浓度 | 第56-60页 |
| 6．2．3 Cu浓度的计算及结果分析 | 第60-62页 |
| 6．3 Cu深能级的测定 | 第62-64页 |
| 6．3．1 光电流谱测量原理 | 第62页 |
| 6．3．2 测试及结果分析 | 第62-64页 |
| 6．4 结语 | 第64-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第76-77页 |
| 致 谢 | 第77页 |
